公开(公告)号：CN114361267A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111516756.8

申请日：2021-12-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孟凡英 ,  刘奕阳 ,  刘文柱 ,  石建华 ,  刘正新

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/072 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法，包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制，兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输，减少载流子复合，提升SHJ太阳电池转化效率。

公开(公告)号：CN114361267B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202111516756.8

申请日：2021-12-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孟凡英 ,  刘奕阳 ,  刘文柱 ,  石建华 ,  刘正新

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/072 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法，包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制，兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输，减少载流子复合，提升SHJ太阳电池转化效率。