公开(公告)号：CN115679275B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202110825050.3

申请日：2021-07-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李卫民 ,  余希 ,  李鑫 ,  吴挺俊 ,  俞文杰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  H10N30/85 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明提供一种含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用，通过第一性原理计算，从原子间结合能入手，设计出采用C元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜，不需对设备进行复杂改装，提出了一种高效简单的技术手段；通过磁控溅射技术制备了含碳双掺杂氮化铝压电薄膜，其中，采用双靶或三靶溅射，靶材分开可以精确控制C元素及X元素的掺杂浓度，尽量始终保持1:1的化学计量比，可在交叉区域获得掺杂均匀的薄膜；采用单靶溅射，则操作简便，便于快速实现薄膜的制备；从而本发明可制备出高压电性能的氮化铝压电薄膜。

公开(公告)号：CN115679275A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110825050.3

申请日：2021-07-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李卫民 ,  余希 ,  李鑫 ,  吴挺俊 ,  俞文杰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  H10N30/85 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明提供一种含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用，通过第一性原理计算，从原子间结合能入手，设计出采用C元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜，不需对设备进行复杂改装，提出了一种高效简单的技术手段；通过磁控溅射技术制备了含碳双掺杂氮化铝压电薄膜，其中，采用双靶或三靶溅射，靶材分开可以精确控制C元素及X元素的掺杂浓度，尽量始终保持1:1的化学计量比，可在交叉区域获得掺杂均匀的薄膜；采用单靶溅射，则操作简便，便于快速实现薄膜的制备；从而本发明可制备出高压电性能的氮化铝压电薄膜。

公开(公告)号：CN115697021A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110825046.7

申请日：2021-07-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李卫民 ,  余希 ,  陈玲丽 ,  朱雷 ,  俞文杰

IPC: H10N30/85 ,  H10N30/076 ,  H10N30/093 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜、制备方法及应用，通过第一性原理计算，从原子间结合能入手，设计出采用B元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜，不需对设备进行复杂改装，提出了一种高效简单的技术手段；通过磁控溅射技术制备了氮化铝压电薄膜，其中，采用双靶或三靶溅射，靶材分开可以精确控制B元素及X元素的掺杂浓度，可在交叉区域获得掺杂均匀的薄膜；采用单靶溅射，则操作简便，便于快速实现薄膜的制备；采用MOCVD化学气相沉积方法制备氮化铝压电薄膜，可实现AlN掺杂B元素及X元素的梯度生长；从而本发明可制备出低损耗、高压电性能的氮化铝压电薄膜。