公开(公告)号：CN114927587B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202210255904.3

申请日：2022-03-15

Applicant: 中国民用航空飞行学院

Inventor： 付贵 ,  杨明晔 ,  杨明 ,  张小强 ,  朱新宇

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于三元材料平面隧穿效应的光电探测器及制备方法，利用新型三元材料作为主体敏感薄膜层材料，通过差平面隧穿效应达到调制光电探测器电流响应度和响应速度的目的。所述探测器结构从下到上依次包括：衬底、绝缘层、新型三元材料、绝缘氧化物层材料、其他薄膜材料、金属电极。本发明主要针对的是三元量子材料，新型三元材料具有在空气中稳定性、超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能，本发明利用三元材料的这些特性，将其与其他薄膜材料复合制备面隧穿效应光电探测器，可以拓宽器件的响应光谱范围和提高器件光电性能，本发明的器件在隧穿效应的作用下具有响应速度快、响应度高、响应光谱范围广等特点。

公开(公告)号：CN114927587A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210255904.3

申请日：2022-03-15

Applicant: 中国民用航空飞行学院

Inventor： 付贵 ,  杨明晔 ,  杨明 ,  张小强 ,  朱新宇

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于三元材料平面隧穿效应的光电探测器及制备方法，利用新型三元材料作为主体敏感薄膜层材料，通过差平面隧穿效应达到调制光电探测器电流响应度和响应速度的目的。所述探测器结构从下到上依次包括：衬底、绝缘层、新型三元材料、绝缘氧化物层材料、其他薄膜材料、金属电极。本发明主要针对的是三元量子材料，新型三元材料具有在空气中稳定性、超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能，本发明利用三元材料的这些特性，将其与其他薄膜材料复合制备面隧穿效应光电探测器，可以拓宽器件的响应光谱范围和提高器件光电性能，本发明的器件在隧穿效应的作用下具有响应速度快、响应度高、响应光谱范围广等特点。

公开(公告)号：CN217361602U

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202220565960.2

申请日：2022-03-15

Applicant: 中国民用航空飞行学院

Inventor： 杨明 ,  韩立祥 ,  黄少晗 ,  杨明晔 ,  安天绪

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型公开了一种基于新型三元材料的异质结光电探测器，利用新型三元材料作为主体敏感薄膜层材料与其他薄膜材料组成异质结结构，通过差异化后热退火处理达到调制光电探测器电流响应度和响应速度的目的。本实用新型所述器件结构从下到上依次为衬底、绝缘层、新型三元材料、其他薄膜材料、金属电极。在二维半导体中，空气稳定和高迁移率的新型三元材料，具超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能，新型三元材料还具有如强自旋轨道耦合、二聚硒空位和铁电性等物理特性，用这些特性，将其与其他薄膜材料复合可以拓宽器件的响应光谱范围和增强器件光电性能。该器件具有响应速度快、响应光谱范围广、响应速度可调等特点。