公开(公告)号：CN118013811A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410295256.3

申请日：2024-03-15

Applicant: 中北大学

Inventor： 董晓芬 ,  李思宇 ,  王端 ,  郭宇轩 ,  王蔚 ,  李乾

IPC: G06F30/25 ,  G06F30/17 ,  G06F30/12 ,  G16C20/10 ,  G16C60/00 ,  G06F111/10 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种爆炸箔换能元能量转换数值模拟方法，应用于微型低能量点火和起爆技术领域。包括以下步骤：确定爆炸箔换能元的参数；建立爆炸箔换能元能量转换模型；获取爆炸箔换能元能量转换模型参数；建立爆炸箔换能元能量转换过程数值模拟软件，本发明通过起爆电路输入能量，预测爆炸箔电爆炸曲线，并进一步预测飞片速度及飞片能否冲击起爆炸药，为研究爆炸箔换能元作用过程建立了仿真新途径。

公开(公告)号：CN117987769A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410169094.9

申请日：2024-02-06

Applicant: 中北大学

Inventor： 董晓芬 ,  王端 ,  李思宇 ,  郭宇轩 ,  王蔚 ,  李乾

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/24 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明公开了一种爆炸箔制备方法，属于微型低能量点火和起爆技术领域，包括：S10，清理晶圆基片：去除晶圆基片表面杂质沾污；S20，沉积薄膜：首先，溅射金属钛钨薄膜，然后蒸发金属镍薄膜和金薄膜，且金属钛钨薄膜、金属镍薄膜和金薄膜从下向上顺次排布成型；S40，光刻爆炸箔；将桥箔图形转移到晶圆基片上，去除晶圆基片表面残留光刻胶；S50，清理杂质；将晶圆基片表面的未被光刻胶覆盖的金薄膜/镍薄膜/钛钨薄膜腐蚀，并清洗腐蚀后晶圆基片的表面杂质。本发明能够有效降低爆炸箔起爆能量，使其易于被激发产生电爆炸，提高推动飞片能力，可靠起爆非敏感炸药。

公开(公告)号：CN113927534A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111358243.9

申请日：2021-11-16

Applicant: 中北大学

Inventor： 李帅 ,  姬宇飞 ,  王端 ,  李思宇 ,  王伟

IPC: B25B27/02 ,  B25B11/02

Abstract: 本发明涉及一种水下拔销装置，主要由起爆器、固定销、外壳、活塞、锁盖、缓冲套和密封圈组成。起爆器与活塞连接为一体，活塞作用前通过固定销进行限位，达到拔销行程后通过设计的锁定结构锁定活塞，防止反弹。相比于传统拔销器，该拔销装置直接与海水接触，可承受3Mpa外水压，销轴径向承载力大，不小于2500N，动作时间小于5ms，拔销后无反弹。通过螺纹结构进行安装，结构简单、安装方便、动作可靠，可适应水下复杂环境，完成水下分离抛载的功能需求。

公开(公告)号：CN119022724A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411377326.6

申请日：2024-09-30

Applicant: 中北大学

Inventor： 董晓芬 ,  杨智杰 ,  王凯炳 ,  刘超 ,  王端 ,  李思宇

IPC: F42B3/13 ,  F42B3/12

Abstract: 本发明属于火工品技术领域，提供了一种高钝感含能半导体桥发火组件。本发明的高钝感含能半导体桥发火组件包含壳体、盖板、装药管壳、间隙环和含能半导体桥；含能半导体桥包含含能薄膜、半导体桥芯片、陶瓷外壳、NTC热敏电阻和脚线；半导体桥芯片包含基底、绝热层、半导体桥区和绝缘层；半导体桥芯片中心处溅射含能薄膜；含能薄膜由Al膜和MoO3膜交替溅射而成；Al膜和MoO3膜共28～32组。本发明的半导体桥芯片并联NTC热敏电阻，可实现2A4W5min不发火、抗静电≥25kV和抗电磁≥900V/m的要求，满足火工品的高钝感要求；药剂与含能桥之间有一定的间隙，具有高安全性、高可靠性、高瞬发度和低发火能量等优点。