一种爆炸箔制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117987769A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410169094.9

    申请日:2024-02-06

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种爆炸箔制备方法,属于微型低能量点火和起爆技术领域,包括:S10,清理晶圆基片:去除晶圆基片表面杂质沾污;S20,沉积薄膜:首先,溅射金属钛钨薄膜,然后蒸发金属镍薄膜和金薄膜,且金属钛钨薄膜、金属镍薄膜和金薄膜从下向上顺次排布成型;S40,光刻爆炸箔;将桥箔图形转移到晶圆基片上,去除晶圆基片表面残留光刻胶;S50,清理杂质;将晶圆基片表面的未被光刻胶覆盖的金薄膜/镍薄膜/钛钨薄膜腐蚀,并清洗腐蚀后晶圆基片的表面杂质。本发明能够有效降低爆炸箔起爆能量,使其易于被激发产生电爆炸,提高推动飞片能力,可靠起爆非敏感炸药。

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