公开(公告)号：CN116830243A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180090343.X

申请日：2021-11-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 韩蕴 ,  彼得·文特泽克 ,  阿洛科·兰詹

IPC: H01L21/027

Abstract: 本文提供了用于图案化极紫外(EUV)(或较低波长)光致抗蚀剂，此类金属氧化物光致抗蚀剂的方法。在衬底上设置的一个或多个下层上形成包括金属氧化物光致抗蚀剂的图案化层，并且将该图案化层的未被上覆在该图案化层上的掩模覆盖的部分曝光于EUV或较低波长光。随后执行循环干法工艺以去除曝光于该图案化层的该EUV或较低波长光的这些部分(即，这些曝光部分)并显影该金属氧化物光致抗蚀剂图案。该循环干法工艺通常包括多个沉积和刻蚀步骤，其中该沉积步骤通过将该衬底曝光于第一等离子体来将保护层选择性地沉积到该图案化层的未曝光部分上，并且该刻蚀步骤通过将该衬底曝光于第二等离子体来选择性地刻蚀该图案化层的这些曝光部分。

公开(公告)号：CN117999629A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280061195.3

申请日：2022-08-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈志英 ,  巴顿·莱恩 ,  韩蕴 ,  彼得·文特泽克 ,  阿洛科·兰詹

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种用于等离子体加工的方法包括：在等离子体加工室中维持等离子体，该等离子体加工室包括第一射频(RF)电极和第二RF电极，其中，维持该等离子体包括：将RF源信号耦合到该第一RF电极；以及将偏置信号耦合在该第一RF电极与该第二RF电极之间，该偏置信号具有双极DC(B‑DC)波形，该B‑DC波形包括多个B‑DC脉冲，这些B‑DC脉冲中的每一个包括：负偏置持续时间，在此期间该脉冲相对于参考电势具有负极性；正偏置持续时间，在此期间该脉冲相对于该参考电势具有正极性；以及中性偏置持续时间，在此期间该脉冲相对于该参考电势具有中性极性。

公开(公告)号：CN117441228A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202280038529.5

申请日：2022-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 韩蕴 ,  安德鲁·梅斯 ,  彼得·比奥尔斯

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

Abstract: 披露了一种方法，该方法包括提供衬底，该衬底具有源极/漏极区和在该源极/漏极区上的蚀刻停止层。使用蚀刻气体进行等离子体蚀刻工艺，该蚀刻气体除去该蚀刻停止层并在该源极/漏极区上形成牺牲氧化物覆盖层。该牺牲氧化物覆盖层则来自该源极/漏极区。

公开(公告)号：CN117751443A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280032255.9

申请日：2022-05-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 韩蕴 ,  刘志方 ,  尤凯鸿 ,  张仕昇 ,  阿洛科·兰詹

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/311

Abstract: 一种方法包括：提供衬底，该衬底包括沿该衬底的表面交替布置的金属栅极叠层和源极/漏极接触区，这些源极/漏极接触区中的每一个凹陷在相邻的金属栅极叠层之间的相应开口内，使得这些源极/漏极接触区提供该开口的底部并且相邻的金属栅极叠层提供侧壁，并且该衬底包括电介质，该电介质覆盖衬底使得该电介质填充每个开口。将该衬底暴露于初始等离子体蚀刻工艺，以从每个开口向下移除该电介质的第一部分至第一深度，并且在该衬底上形成牺牲栅极覆盖层，同时保持这些开口中的每一个不被覆盖。将该衬底暴露于另一等离子体蚀刻工艺，以移除该牺牲栅极覆盖层，同时从每个开口向下移除该电介质的第二部分至第二深度。