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公开(公告)号：CN120033109A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411580575.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的基板处理装置具备：处理容器，具有能收容表面被液体润湿的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，向处理容器供给超临界状态的处理流体，处理流体供给部具有：流体供给管线，一方与流体供给源连接，另一方与处理容器连接；泵，设置于流体供给管线；加热部，设置于泵的下游侧；第一流量调整部，设置于泵与加热部之间；第一压力测定部，设置于第一流量调整部与加热部之间；第二压力测定部，设置于泵与第一流量调整部之间；分支点，设置于流体供给管线中泵与第一流量调整部之间；连接点，设置于流体供给管线中泵的上游侧；分支管线，连接分支点与连接点；第二流量调整部，设置于分支管线；控制部，控制第二流量调整部。
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公开(公告)号：CN118197952A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311635825.6
申请日：2023-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制基板的图案倒塌的技术。本公开的一技术方案为一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基板干燥，其中，该基板处理装置具有：处理容器，其在内部收纳所述基板；保持部，其将所述基板以水平姿势保持在所述处理容器内的保持位置；以及流体供给部，其向所述处理容器内供给所述处理流体，所述流体供给部具有第1方向变更构件，该第1方向变更构件将自被所述保持部保持的所述基板的径向外侧供给的所述处理流体的流动向不会碰撞到所述基板的径向外端的方向变更。
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公开(公告)号：CN114664696A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111541778.X
申请日：2021-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其中，能够从一个处理流体供给源向进行使用了超临界状态的处理流体的处理的基板处理部供给处理流体。基板处理装置包括：第1供给管线；多个第2供给管线；泵；多个基板处理部，其分别与多个第2供给管线连接；分支点，其在第1供给管线上设于比泵靠下游侧的位置；连接点，其在第1供给管线上设于比泵靠上游侧的位置；分支管线，其将分支点和连接点连起来；压力调整部，其在分支管线上设于分支点和连接点之间；以及控制部，其控制压力调整部，控制部根据被供给处理流体的基板处理部的数量来控制压力调整部，从而使向分支管线流动的处理流体的量变化而控制分支点处的处理流体的压力。
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公开(公告)号：CN118352268A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410023204.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制基片的图案倒塌的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置是能够使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基片干燥的基片处理装置，其特征在于，包括：能够在内部收纳所述基片的处理容器；用于在所述处理容器内的保持位置以水平姿态保持所述基片的保持部；和用于向所述处理容器内供给所述处理流体的流体供给部，所述流体供给部能够在对所述处理容器内进行升压的中途，改变从被保持在所述保持部的所述基片的径向外侧供给的所述处理流体的流动。
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公开(公告)号：CN111446150B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010051108.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , B05B9/03 , B05B13/02
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068360A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110872158.8
申请日：2021-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供使进行超临界干燥的基板处理装置小型化的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体，而对所述基板进行干燥。所述基板处理装置包括压力容器、盖体以及支承体。所述压力容器在内部形成所述基板的干燥室。所述盖体封闭所述干燥室的开口。所述支承体在所述干燥室中水平地支承所述基板。所述支承体固定于所述干燥室。
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公开(公告)号：CN120019478A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072486.7
申请日：2023-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的一个方式的处理流体供给装置(70)包括供给管线(61)、冷却部、泵(75)、返回管线(90)、加热部和流量调节机构。供给管线(61)从供给气体状态的处理流体的处理流体供给源(60)向基片处理装置(1)供给处理流体。冷却部设置于供给管线(61)，将气体状态的处理流体冷却而生成液体状态的处理流体。泵(75)设置在供给管线(61)中的冷却部的下游侧。返回管线(90)从供给管线(61)中的位于泵(75)的下游侧的分支部(76)分支，而使处理流体返回到供给管线(61)中的位于冷却部的上游侧的汇流部(71)。加热部设置于返回管线(90)，加热处理流体。流量调节机构调节供给到加热部的处理流体的流量。
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公开(公告)号：CN117917758A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311318777.8
申请日：2023-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和流体加热装置。本发明提供一种能够降低处理流体的温度偏差的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置为通过使用超临界状态的处理流体而使附着于基板的液体干燥的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收容所述基板；多个配管，该多个配管使所述处理流体在其与所述处理容器之间流通；第1流体加热装置，其对所述多个配管中的向所述处理容器的内部供给所述处理流体的配管进行加热；以及第2流体加热装置，其对所述多个配管中的自所述处理容器的内部排出所述处理流体的配管进行加热。
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公开(公告)号：CN114068359A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110865833.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供使进行超临界干燥的基板处理装置小型化的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：输送模块，其配置有用于输送基板的输送装置；以及处理模块，其与所述输送模块相邻。所述处理模块包括：液膜形成单元，其在水平的所述基板的上表面形成液膜；以及干燥单元，其将所述液膜置换为超临界流体而对所述基板进行干燥。所述干燥单元包括：压力容器，其在内部形成所述基板的干燥室；盖体，其封闭所述干燥室的开口；以及支承体，其在所述干燥室中水平地支承所述基板。所述支承体相对于所述干燥室固定。所述输送装置水平地保持形成有所述液膜的所述基板，并通过所述干燥室的所述开口而进入所述干燥室。
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公开(公告)号：CN119998929A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071396.6
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: 本公开的一个方式的流体供给系统向在内部对基板进行处理的处理容器内供给流体，该流体供给系统具有：处理流体供给部，其供给处理流体；流体供给路径，其与所述处理流体供给部以及所述处理容器连接，用于使温度被调整后的处理流体流通到所述处理容器内；第一加热机构，其设置于所述流体供给路径，将所述处理流体加热到第一温度；以及第二加热机构，其设置于所述流体供给路径，将所述处理流体加热到比所述第一温度低的第二温度，其中，所述处理流体供给部具有调整所述处理流体的流量的流量调整机构，所述流体供给路径具有：第一分支流路，其用于使所述处理流体经过所述第一加热机构流通到所述处理容器内；以及第二分支流路，其用于使所述处理流体经过所述第二加热机构流通到所述处理容器内。
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