公开(公告)号：CN105755438B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201610194927.2

申请日：2016-03-30

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张丛春 ,  王岩磊 ,  丁桂甫 ,  段力 ,  杨申勇 ,  刘哲

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/10 ,  C23C14/04 ,  G01B7/16

Abstract: 本发明提供一种高温自补偿多层复合薄膜应变计及其制备方法，所述应变计包括高温合金构件基底、氧化铝绝缘层、第一TaN应变层、PdCr应变层、第二TaN应变层、氧化铝或氧化硅保护层和Pt电极。以高温合金构件为基底，在基底上双离子束溅射沉积氧化铝绝缘薄膜，在绝缘薄膜上射频磁控溅射沉积TaN和PdCr自补偿应变层，在应变层上双离子束溅射氧化铝或氧化硅保护层。本发明适用于在构件工作过程中的实时测量；采用TaN和PdCr合金应变层，克服了温度变化对构件应变测量的影响，使高温测量精度大大提高；采用离子束溅射氧化铝或氧化硅保护层结构致密、结合力好，对功能结构起到了非常好的保护作用。

公开(公告)号：CN105755438A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610194927.2

申请日：2016-03-30

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张丛春 ,  王岩磊 ,  丁桂甫 ,  段力 ,  杨申勇 ,  刘哲

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/10 ,  C23C14/04 ,  G01B7/16

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/042 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/081 ,  C23C14/10 ,  C23C14/165 ,  C23C14/46 ,  G01B7/18

Abstract: 本发明提供一种高温自补偿多层复合薄膜应变计及其制备方法，所述应变计包括高温合金构件基底、氧化铝绝缘层、第一TaN应变层、PaCr应变层、第二TaN应变层、氧化铝或氧化硅保护层和Pt电极。以高温合金构件为基底，在基底上双离子束溅射沉积氧化铝绝缘薄膜，在绝缘薄膜上射频磁控溅射沉积TaN和PaCr自补偿应变层，在应变层上双离子束溅射氧化铝或氧化硅保护层。本发明适用于在构件工作过程中的实时测量；采用TaN和PaCr合金应变层，克服了温度变化对构件应变测量的影响，使高温测量精度大大提高；采用离子束溅射氧化铝或氧化硅保护层结构致密、结合力好，对功能结构起到了非常好的保护作用。