公开(公告)号：CN105529299A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510582137.7

申请日：2015-09-14

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张亚舟 ,  孙云娜 ,  丁桂甫 ,  汪红 ,  任宇芬 ,  陈明明

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838

Abstract: 本发明公开一种电镀填充硅基TSV转接板的方法，步骤包括：1)制备的带有双面干膜光刻胶的通孔晶圆，在其单面粘贴绝缘膜；2)单面电镀；3)去除步骤1)中的单面绝缘膜；4)将步骤3)中去除单面绝缘膜的一面对应阳极；5)继续填充未被填充的部分；6)去除光刻胶、种子层，制备无暇连接的Cu-TSV与Cu-Pad。通过本发明可以将TSV盲孔填充工艺移植到TSV通孔电镀填充工艺中，大大降低了TSV通孔电镀填充的难度；以更高的效率、更低的成本填充硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。

公开(公告)号：CN105070682B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510423748.7

申请日：2015-07-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 丁桂甫 ,  张亚舟 ,  孙云娜 ,  汪红 ,  吴凯峰 ,  王慧颖 ,  罗江波

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种高效制备硅基转接板的方法，步骤：1)旋涂光刻胶、光刻、显影；2)刻蚀；3)氧化；4)溅射Ti/Cu等种子层；5)键合干膜光刻胶、光刻、显影；6)填充TSV；7)去胶、种子层，制备的Cu‑TSV与Cu‑Pad是无暇连接。本发明能以更高的效率、更低的成本制备硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。

公开(公告)号：CN105070682A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510423748.7

申请日：2015-07-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 丁桂甫 ,  张亚舟 ,  孙云娜 ,  汪红 ,  吴凯峰 ,  王慧颖 ,  罗江波

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838

Abstract: 本发明公开一种高效制备硅基转接板的方法，步骤：1)旋涂光刻胶、光刻、显影；2)刻蚀；3)氧化；4)溅射Ti/Cu等种子层；5)键合干膜光刻胶、光刻、显影；6)填充TSV；7)去胶、种子层，制备的Cu-TSV与Cu-Pad是无暇连接。本发明能以更高的效率、更低的成本制备硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。

公开(公告)号：CN105529299B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201510582137.7

申请日：2015-09-14

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张亚舟 ,  孙云娜 ,  丁桂甫 ,  汪红 ,  任宇芬 ,  陈明明

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种电镀填充硅基TSV转接板的方法，步骤包括：1)制备的带有双面干膜光刻胶的通孔晶圆，在其单面粘贴绝缘膜；2)单面电镀；3)去除步骤1)中的单面绝缘膜；4)将步骤3)中去除单面绝缘膜的一面对应阳极；5)继续填充未被填充的部分；6)去除光刻胶、种子层，制备无暇连接的Cu‑TSV与Cu‑Pad。通过本发明可以将TSV盲孔填充工艺移植到TSV通孔电镀填充工艺中，大大降低了TSV通孔电镀填充的难度；以更高的效率、更低的成本填充硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。