公开(公告)号：CN103812455A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310550356.8

申请日：2013-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫下美代 ,  山本和也 ,  北林文政 ,  间木杰 ,  福田绘理 ,  嘉藤胜也

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F1/223

Abstract: 本发明涉及共阴共栅放大器，获得能够抑制起因于布线电阻的输出功率的降低的共阴共栅放大器。晶体管Tr1a~Tr1f分别共阴共栅连接于晶体管Tr2a~Tr2f。布线（Wg1）依次连接于晶体管（Tr1a~Tr1f）的栅极。并联连接的布线（Wg2、Wg3）依次连接于晶体管（Tr2a~Tr2f）的栅极。电容（C1）连接在布线（Wg2）的一端与接地点之间。

公开(公告)号：CN111656514A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201880086907.0

申请日：2018-01-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内海博三 ,  南出启信 ,  间木杰 ,  宫胁胜巳

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/12

Abstract: 在基座板(1)之上设置有晶体管(2)以及匹配电路基板(3～6)，它们彼此连接。框架(15)设置于基座板(1)之上，将晶体管(2)及匹配电路基板(3～6)的周围包围。框架(15)与基座板(1)相比线膨胀系数小。在框架(15)设置有螺钉固定部(17)。基座板(1)的尺寸小于框架(15)。

公开(公告)号：CN111656514B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201880086907.0

申请日：2018-01-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内海博三 ,  南出启信 ,  间木杰 ,  宫胁胜巳

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/12

Abstract: 在基座板(1)之上设置有晶体管(2)以及匹配电路基板(3～6)，它们彼此连接。框架(15)设置于基座板(1)之上，将晶体管(2)及匹配电路基板(3～6)的周围包围。框架(15)与基座板(1)相比线膨胀系数小。在框架(15)设置有螺钉固定部(17)。基座板(1)的尺寸小于框架(15)。

公开(公告)号：CN103812455B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310550356.8

申请日：2013-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫下美代 ,  山本和也 ,  北林文政 ,  间木杰 ,  福田绘理 ,  嘉藤胜也

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F1/223

Abstract: 本发明涉及共阴共栅放大器，获得能够抑制起因于布线电阻的输出功率的降低的共阴共栅放大器。晶体管Tr1a~Tr1f分别共阴共栅连接于晶体管Tr2a~Tr2f。布线（Wg1）依次连接于晶体管Tr1a~Tr1f）的栅极。并联连接的布线（Wg2、Wg3）依次连接于晶体管（Tr2a~Tr2f）的栅极。电容C1）连接在布线（Wg2）的一端与接地点之间。