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公开(公告)号：CN106062975B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201580011463.0
申请日：2015-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/061 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的特征在于，包括：在n型硅基板(1)的一主面侧形成p型扩散层(2)并形成具有pn结的n型硅基板(1)的工序；在n型硅基板的第1主面以及第2主面中的作为n型的受光面1A侧的表面作为钝化膜形成氧化硅膜(5)与氮化硅膜的层叠膜的工序；在钝化膜形成开口区域(9)的工序；对钝化膜的开口区域(9)将钝化膜作为掩模来扩散n型杂质并形成高浓度扩散区域(11)的工序；以及在暴露于钝化膜的开口区域(9)的所述高浓度扩散区域(11)选择性地形成金属电极(13)的工序。
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公开(公告)号：CN106062975A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011463.0
申请日：2015-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/061 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的特征在于，包括：在n型硅基板(1)的一主面侧形成p型扩散层(2)并形成具有pn结的n型硅基板(1)的工序；在n型硅基板的第1主面以及第2主面中的作为n型的受光面1A侧的表面作为钝化膜形成氧化硅膜(5)与氮化硅膜的层叠膜的工序；在钝化膜形成开口区域(9)的工序；对钝化膜的开口区域(9)将钝化膜作为掩模来扩散n型杂质并形成高浓度扩散区域(11)的工序；以及在暴露于钝化膜的开口区域(9)的所述高浓度扩散区域(11)选择性地形成金属电极(13)的工序。
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公开(公告)号：CN116888065A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202180092973.0
申请日：2021-02-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白柳裕介
IPC: B81B7/00
Abstract: 作为MEMS元件的光扫描装置(1)具备：依次层叠的第一绝缘层(34)、第一半导体层(31)、第二绝缘层(32)以及第二半导体层(33)；第一杂质区域(16)，形成于第一绝缘层(34)与第一半导体层(31)的界面；第二杂质区域(17)，形成于第一半导体层(31)与第二绝缘层(32)的界面；以及第一布线部分(39A)及第二布线部分(39B)，在第一绝缘层(34)上隔开距离地配置。第一杂质区域(16)与第二杂质区域(17)在第一布线部分(39A)与第二布线部分(39B)之间电并联连接。
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公开(公告)号：CN117377794A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037075.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 三菱电机株式会社
IPC: C30B33/06
Abstract: 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。
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