公开(公告)号：CN102047385B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980119459.0

申请日：2009-05-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津田睦 ,  泷正和

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 具备：真空容器(10)，具有保持基板(100)的基板载置台(12)以及与基板(100)对置地设置的等离子体电极(13)；H2气体供给部件，在成膜时以恒定流量向真空容器(10)供给H2气体；SiH4气体供给部件，在成膜时通过气阀(25)的开闭来打开/关断向真空容器(10)的SiH4气体的供给；高频电源(40)，向等离子体电极(13)施加高频电压；屏蔽盒(20)，在真空容器(10)的外部以包围等离子体电极(13)的方式被接地；以及控制部(60)，控制阀(25)的开闭使得将SiH4气体周期性地供给到真空容器(10)，并且与气阀(25)的开闭同步地对施加于等离子体电极(13)的高频功率进行调幅，其中，气阀(25)配置在屏蔽盒(20)内。

公开(公告)号：CN107207292A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074000.9

申请日：2015-12-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 生沼学 ,  泷正和 ,  稻永康隆 ,  内藤皓贵

IPC: C02F1/48 ,  C01B13/11 ,  C02F1/32 ,  C02F1/78

CPC classification number: C02F1/78 ,  C01B13/11 ,  C02F1/32 ,  C02F1/4608 ,  C02F1/46114 ,  C02F1/4672 ,  C02F1/48 ,  C02F9/00 ,  C02F2201/782 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/08 ,  C02F2209/20 ,  C02F2209/23 ,  Y02P20/125

Abstract: 在处理槽的内部具备多个放电处理单元，放电处理单元具有接地电极、和与接地电极对置的放电电极，在接地电极与放电电极之间形成放电，通过放电来生成臭氧，并且使被处理水与放电接触，由此对被处理水进行处理，具备：储水部，其在处理槽的内部储存由多个放电处理单元中的一个放电处理单元实施了水处理的被处理水；以及臭氧供给部，其将处理槽内的臭氧供给到储水部内的被处理水，被处理水作为连续的流动通过多个放电处理单元。

公开(公告)号：CN102047385A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119459.0

申请日：2009-05-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津田睦 ,  泷正和

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 具备：真空容器(10)，具有保持基板(100)的基板载置台(12)以及与基板(100)对置地设置的等离子体电极(13)；H2气体供给部件，在成膜时以恒定流量向真空容器(10)供给H2气体；SiH4气体供给部件，在成膜时通过气阀(25)的开闭来打开/关断向真空容器(10)的SiH4气体的供给；高频电源(40)，向等离子体电极(13)施加高频电压；屏蔽盒(20)，在真空容器(10)的外部以包围等离子体电极(13)的方式被接地；以及控制部(60)，控制阀(25)的开闭使得将SiH4气体周期性地供给到真空容器(10)，并且与气阀(25)的开闭同步地对施加于等离子体电极(13)的高频电力进行调幅，其中，气阀(25)配置在屏蔽盒(20)内。

公开(公告)号：CN107207292B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201580074000.9

申请日：2015-12-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 生沼学 ,  泷正和 ,  稻永康隆 ,  内藤皓贵

IPC: C02F1/48 ,  C01B13/11 ,  C02F1/32 ,  C02F1/78

CPC classification number: C02F1/78 ,  C01B13/11 ,  C02F1/32 ,  C02F1/4608 ,  C02F1/46114 ,  C02F1/4672 ,  C02F1/48 ,  C02F9/00 ,  C02F2201/782 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/08 ,  C02F2209/20 ,  C02F2209/23 ,  Y02P20/125

Abstract: 在处理槽的内部具备多个放电处理单元，放电处理单元具有接地电极、和与接地电极对置的放电电极，在接地电极与放电电极之间形成放电，通过放电来生成臭氧，并且使被处理水与放电接触，由此对被处理水进行处理，具备：储水部，其在处理槽的内部储存由多个放电处理单元中的一个放电处理单元实施了水处理的被处理水；以及臭氧供给部，其将处理槽内的臭氧供给到储水部内的被处理水，被处理水作为连续的流动通过多个放电处理单元。

公开(公告)号：CN1220252C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02152815.2

申请日：2002-11-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 花崎稔 ,  菅原庆一 ,  野口利彦 ,  米村俊雄 ,  泷正和 ,  津田睦 ,  新谷贤治

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32935

Abstract: 等离子体处理装置的高频电流检测器检测高频电源将在室内不发生等离子体的高频功率供给室时的高频电流，将该检测出的高频电流输出给计算机。计算机将从高频电流检测器接受的高频电流与成为基准的高频电流进行比较，当两个高频电流一致时，将等离子体处理装置的工艺性能评价为正常，当两个高频电流不一致时，将工艺性能评价为异常。其结果，能检测装置固有的高频特性，根据该检测出的高频特性来评价工艺性能。

公开(公告)号：CN1447398A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN02152815.2

申请日：2002-11-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 花崎稔 ,  菅原庆一 ,  野口利彦 ,  米村俊雄 ,  泷正和 ,  津田睦 ,  新谷贤治

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32935

Abstract: 等离子体处理装置的高频电流检测器检测高频电源将在室内不发生等离子体的高频功率供给室时的高频电流，将该检测出的高频电流输出给计算机。计算机将从高频电流检测器接受的高频电流与成为基准的高频电流进行比较，当两个高频电流一致时，将等离子体处理装置的工艺性能评价为正常，当两个高频电流不一致时，将工艺性能评价为异常。其结果，能检测装置固有的高频特性，根据该检测出的高频特性来评价工艺性能。