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公开(公告)号：CN113451392B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110297220.5
申请日：2021-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板，其具有第1主面和第2主面；空穴注入区域，其具有在第1主面侧设置的第2导电型的空穴注入层及在第2主面侧设置的第2导电型的半导体层；二极管区域，其具有在第1主面侧设置的第2导电型的阳极层及在第2主面侧设置的第1导电型的阴极层，在阳极层的第2主面侧端部和第1主面之间没有第1导电型的半导体层；以及在第1主面侧设置的第2导电型的边界部半导体层、在边界部半导体层的表层设置的第1导电型的载流子注入抑制层及在第2主面侧从空穴注入区域伸出地设置的第2导电型的半导体层，它们设置于二极管区域和空穴注入区域之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113921604B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202110756289.X
申请日：2021-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/861 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及半导体装置。目的在于提供能够有效地降低恢复损耗的技术。在二极管区域的第1主面侧设置有第1阳极层以及第1接触层，在边界区域的第1主面侧设置有第2阳极层以及第2接触层。第2阳极层的第2导电型的杂质浓度比第1阳极层的第2导电型的杂质浓度低，或者，边界区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第2接触层的占有面积比例比二极管区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第1接触层的占有面积比例小。
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公开(公告)号：CN114792720A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210071008.1
申请日：2022-01-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/8248
Abstract: 提供抑制了耐压降低的半导体装置及半导体装置的制造方法。IGBT区域(10)具有：n型载流子积蓄层(2)，其与n‑型漂移层(1)接触而设置于n‑型漂移层(1)的第1主面(1a)侧，与n‑型漂移层(1)相比n型杂质浓度高；p型基极层(15)，其设置于n型载流子积蓄层(2)和1主面(1a)之间；n+型的发射极层(13)，其选择性地设置于p型基极层(15)的表层部；以及栅极电极(11a)，其设置为隔着绝缘膜与n+型发射极层(13)及p型基极层(15)相对，二极管区域(20)具有p型阳极层(25)，其设置于n‑型漂移层(1)和第1主面(1a)之间，并设置于距离第1主面(1a)的深度比n型载流子积蓄层(2)和n‑型漂移层(1)的边界深的位置为止。
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公开(公告)号：CN113451392A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110297220.5
申请日：2021-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板，其具有第1主面和第2主面；空穴注入区域，其具有在第1主面侧设置的第2导电型的空穴注入层及在第2主面侧设置的第2导电型的半导体层；二极管区域，其具有在第1主面侧设置的第2导电型的阳极层及在第2主面侧设置的第1导电型的阴极层，在阳极层的第2主面侧端部和第1主面之间没有第1导电型的半导体层；以及在第1主面侧设置的第2导电型的边界部半导体层、在边界部半导体层的表层设置的第1导电型的载流子注入抑制层及在第2主面侧从空穴注入区域伸出地设置的第2导电型的半导体层，它们设置于二极管区域和空穴注入区域之间。
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公开(公告)号：CN119698011A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411106158.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法，减少大电流流动那样的条件下的破坏耐量的偏差而提高了可靠性。是在具有第1主面和第2主面的半导体基板形成有晶体管的半导体装置，半导体基板的晶体管区域具有：n型的第1半导体层；p型的第2半导体层，设置于比第1半导体层靠第1主面侧的位置；n型的第3半导体层，设置于比第2半导体层靠第1主面侧的位置；沟槽栅极，在厚度方向从第1主面贯通第3半导体层和第2半导体层并到达第1半导体层内；以及层间绝缘膜，设置于沟槽栅极之上，层间绝缘膜具有至少1处俯视时的与沟槽栅极的延伸方向交叉的宽度方向的长度局部变窄的窄幅部。
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公开(公告)号：CN113921604A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110756289.X
申请日：2021-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/861 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及半导体装置。目的在于提供能够有效地降低恢复损耗的技术。在二极管区域的第1主面侧设置有第1阳极层以及第1接触层，在边界区域的第1主面侧设置有第2阳极层以及第2接触层。第2阳极层的第2导电型的杂质浓度比第1阳极层的第2导电型的杂质浓度低，或者，边界区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第2接触层的占有面积比例比二极管区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第1接触层的占有面积比例小。
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