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公开(公告)号：CN119698011A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411106158.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法，减少大电流流动那样的条件下的破坏耐量的偏差而提高了可靠性。是在具有第1主面和第2主面的半导体基板形成有晶体管的半导体装置，半导体基板的晶体管区域具有：n型的第1半导体层；p型的第2半导体层，设置于比第1半导体层靠第1主面侧的位置；n型的第3半导体层，设置于比第2半导体层靠第1主面侧的位置；沟槽栅极，在厚度方向从第1主面贯通第3半导体层和第2半导体层并到达第1半导体层内；以及层间绝缘膜，设置于沟槽栅极之上，层间绝缘膜具有至少1处俯视时的与沟槽栅极的延伸方向交叉的宽度方向的长度局部变窄的窄幅部。
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