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公开(公告)号：CN113316845A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201880100430.7
申请日：2018-12-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本申请的技术方案涉及的半导体装置具有：第1半导体芯片；第2半导体芯片；第1金属板，其设置于第1半导体芯片的上表面；第2金属板，其设置于第2半导体芯片的上表面；以及封装树脂，其将第1半导体芯片、第2半导体芯片、第1金属板以及第2金属板覆盖，在封装树脂处，在第1金属板与第2金属板之间形成从封装树脂的上表面朝向下方延伸的槽，第1金属板在与第2金属板相对的端部具有从形成槽的封装树脂的侧面露出的第1露出部，第2金属板在与第1金属板相对的端部具有从形成槽的封装树脂的侧面露出的第2露出部。
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公开(公告)号：CN119155896A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410512294.X
申请日：2024-04-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供能够降低平滑电容器的布线电感的技术。在冷却器(2)上的绝缘基板(31)上设置有与半导体元件(1)电连接的电路图案(32)。平滑电容器(401)配置为在俯视观察下不与所述半导体元件(1)重叠，并且具有：形成静电电容的内部电极(451)、收纳内部电极(451)的电容器外壳(490)、以及从电容器外壳(490)无缝突出的端子(442)。第一封装材料(5)覆盖所述平滑电容器(401)的所述端子(442)、所述绝缘基板(31)以及所述电路图案(32)各自的至少一部分。所述平滑电容器(401)的所述端子(442)与所述电路图案(32)，借助所述端子(442)与所述电路图案(32)的界面所具有的接合力而相互直接连接。
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公开(公告)号：CN105518992B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201380079394.8
申请日：2013-09-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 林启
CPC classification number: H02H3/08 , H03K17/0826 , H03K17/0828 , H03K17/14 , H03K2017/0806
Abstract: 提供一种能够通过简单的结构来实现SC切断等级的调整而无需改变基准电压的半导体装置、半导体开关元件的驱动装置。半导体装置(51)具备半导体开关元件(1)、校正电压产生电路(5)、分压电路(3)、过电流保护电路(10)、驱动电路(9)。开关元件(1)能够由其感测端子(S)输出感测电流(Isense)。感测电阻(R2)接受来自感测端子(S)的感测电流(Isense)而产生感测电压(Vsense)。校正电压产生电路(5)产生校正电压(Vc)。分压电路(3)能够通过电阻(R3、R4)将感测电压(Vsense)和校正电压(Vc)进行电阻分压而输出校正后感测电压(Vin)。过电流保护电路(10)被输入校正后感测电压(Vin)，在校正后感测电压(Vin)大于阈值电压(Vthresh)的情况下将停止信号输出至驱动电路(9)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113906553A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201980097064.9
申请日：2019-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/14
Abstract: 目的在于提供通过在从常温向高温的温度变化时向金属基座板赋予翘曲，从而对在从高温向常温的温度变化时产生的金属基座板的翘曲进行控制的技术。金属基座板(1)的翘曲控制构造具有金属基座板(1)、异种金属层(2)和绝缘基板(4)。异种金属层(2)形成于金属基座板(1)的表面。绝缘基板(4)经由接合材料(3)而接合于异种金属层(2)的表面，并且绝缘基板(4)具有在两面配置的金属板(42a、42b)。在将金属基座板(1)的线膨胀系数设为α1，将异种金属层(2)的线膨胀系数设为α2，将金属板(42a、42b)的线膨胀系数设为α3时，满足α1＞α3＞α2。
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公开(公告)号：CN105518993B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201380079392.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/0812 , H03K17/16
Abstract: 本发明的目的在于提供一种缓冲电路，该缓冲电路降低了在导通以及截止时施加至构成互补对的晶体管的反向电压。缓冲电路(100、300)进行开关元件(1)的导通以及截止，该缓冲电路(100、300)还具有：驱动侧元件，其一端与驱动用晶体管(4)的基极连接；以及灌入侧元件，其一端与灌入用晶体管(5)的基极连接，驱动侧元件以及灌入侧元件是各自的另一端即阳极以及阴极与控制电路(8)的输出端子连接的驱动侧二极管(6)以及灌入侧二极管(7)，或者是各自的另一端与驱动用晶体管(4)以及灌入用晶体管(5)的发射极连接的驱动侧电容器(12)以及灌入侧电容器(13)。
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公开(公告)号：CN105518993A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201380079392.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/0812 , H03K17/16
CPC classification number: H03K17/08 , H03K17/08128 , H03K17/162 , H03K17/168 , H03K17/60 , H03K17/74
Abstract: 本发明的目的在于提供一种缓冲电路，该缓冲电路降低了在导通以及截止时施加至构成互补对的晶体管的反向电压。缓冲电路(100、300)进行开关元件(1)的导通以及截止，该缓冲电路(100、300)还具有：驱动侧元件，其一端与驱动用晶体管(4)的基极连接；以及灌入侧元件，其一端与灌入用晶体管(5)的基极连接，驱动侧元件以及灌入侧元件是各自的另一端即阳极以及阴极与控制电路(8)的输出端子连接的驱动侧二极管(6)以及灌入侧二极管(7)，或者是各自的另一端与驱动用晶体管(4)以及灌入用晶体管(5)的发射极连接的驱动侧电容器(12)以及灌入侧电容器(13)。
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公开(公告)号：CN114730751A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080081445.0
申请日：2020-11-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48
Abstract: 功率半导体装置(1)具备第一功率半导体元件(20)、引出配线(41)和板状端子(50)。板状端子(50)包括第一端子部分(51)和第二端子部分(52)。第一端子部分(51)与第一功率半导体元件(20)的第一正面电极(21)接合。第二端子部分(52)与引出配线(41)接合。第一功率半导体元件(20)与第一端子部分(51)之间的第一线膨胀系数差大于引出配线(41)与第二端子部分(52)之间的第二线膨胀系数差。第一端子部分(51)比第二端子部分(52)薄。
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公开(公告)号：CN105518992A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201380079394.8
申请日：2013-09-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 林启
CPC classification number: H02H3/08 , H03K17/0826 , H03K17/0828 , H03K17/14 , H03K2017/0806
Abstract: 提供一种能够通过简单的结构来实现SC切断等级的调整而无需改变基准电压的半导体装置、半导体开关元件的驱动装置。半导体装置(51)具备半导体开关元件(1)、校正电压产生电路(5)、分压电路(3)、过电流保护电路(10)、驱动电路(9)。开关元件(1)能够由其感测端子(S)输出感测电流(Isense)。感测电阻(R2)接受来自感测端子(S)的感测电流(Isense)而产生感测电压(Vsense)。校正电压产生电路(5)产生校正电压(Vc)。分压电路(3)能够通过电阻(R3、R4)将感测电压(Vsense)和校正电压(Vc)进行电阻分压而输出校正后感测电压(Vin)。过电流保护电路(10)被输入校正后感测电压(Vin)，在校正后感测电压(Vin)大于阈值电压(Vthresh)的情况下将停止信号输出至驱动电路(9)。
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