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公开(公告)号：CN103907205A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052186.4
申请日：2012-04-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/02167 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电变换装置(1)，在通过受光生成光生载流子的n型半导体基板(11)的第一面上，依次层叠实质上本征的i型非晶质含氢半导体层(12)、p型非晶质含氢半导体层(13)、以及第1透明导电层(14)，其中，第1透明导电层(14)具有：含氢区域(142)，由含氢的透明导电性材料构成；以及氢扩散抑制区域(141)，相比于含氢区域(142)在p型非晶质含氢半导体层(13)侧存在且由实质上不含氢的透明导电性材料构成，氢扩散抑制区域(141)具有p型非晶质含氢半导体层(13)侧的含氢量少于含氢区域(142)侧的含氢量的氢浓度分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103907205B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280052186.4
申请日：2012-04-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/02167 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电变换装置，在通过受光生成光生载流子的n型半导体基板的第一面上，依次层叠实质上本征的i型非晶质含氢半导体层、p型非晶质含氢半导体层、以及第1透明导电层，其中，第1透明导电层具有：含氢区域，由含氢的透明导电性材料构成；以及氢扩散抑制区域，相比于含氢区域在p型非晶质含氢半导体层侧存在且由实质上不含氢的透明导电性材料构成，氢扩散抑制区域具有p型非晶质含氢半导体层侧的含氢量少于含氢区域侧的含氢量的氢浓度分布。
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公开(公告)号：CN103339688B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180065943.7
申请日：2011-10-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 一种透明电极基板，是在透光性绝缘基板上形成由以氧化锌为主要成分且包含至少一种以上的掺杂剂元素的氧化锌系薄膜组成的透明电极的透明电极基板，所述氧化锌系薄膜在表面具备凹凸形状，具有从所述透光性绝缘基板侧向着表面侧连续减少的所述掺杂剂元素的浓度梯度，在所述氧化锌系薄膜中的所述掺杂剂元素的浓度在从所述透光性绝缘基板到厚度50nm的区域大于等于1.5原子%小于等于3原子%，在从表面到厚度300nm的区域大于等于0.2原子%小于等于1原子%。
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公开(公告)号：CN102947947B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180030581.8
申请日：2011-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/046 , H01L31/056
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/0504 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的目的在于将半导体层与背面电极之间的电阻也保持得低、并且提高通过了半导体层的光的反射率来实现光电变换效率高的光电变换装置。为此，提供一种光电变换装置，在透光绝缘基板（1）上将表面电极（2）、由半导体材料构成的光电变换层（4）、由透明导电氧化物构成的透明导电层（7）、以及由金属材料构成的背面电极（6）按照该顺序层叠，在该光电变换装置中，由以硅为主成分的半导体材料构成、且折射率比所述透明导电层高的导电层（8）与所述透明导电层（7）和所述背面电极（6）相接而被夹住。
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公开(公告)号：CN103339688A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180065943.7
申请日：2011-10-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 一种透明电极基板，是在透光性绝缘基板上形成由以氧化锌为主要成分且包含至少一种以上的掺杂剂元素的氧化锌系薄膜组成的透明电极的透明电极基板，所述氧化锌系薄膜在表面具备凹凸形状，具有从所述透光性绝缘基板侧向着表面侧连续减少的所述掺杂剂元素的浓度梯度，在所述氧化锌系薄膜中的所述掺杂剂元素的浓度在从所述透光性绝缘基板到厚度50nm的区域大于等于1.5原子%小于等于3原子%，在从表面到厚度300nm的区域大于等于0.2原子%小于等于1原子%。
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公开(公告)号：CN102947947A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180030581.8
申请日：2011-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/0504 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的目的在于将半导体层与背面电极之间的电阻也保持得低、并且提高通过了半导体层的光的反射率来实现光电变换效率高的光电变换装置。为此，提供一种光电变换装置，在透光绝缘基板（1）上将表面电极（2）、由半导体材料构成的光电变换层（4）、由透明导电氧化物构成的透明导电层（7）、以及由金属材料构成的背面电极（6）按照该顺序层叠，在该光电变换装置中，由以硅为主成分的半导体材料构成、且折射率比所述透明导电层高的导电层（8）与所述透明导电层（7）和所述背面电极（6）相接而被夹住。
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