公开(公告)号：CN116491036B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202080106480.3

申请日：2020-11-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木凉子 ,  松本启资 ,  中村直干 ,  宫越亮辅

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/024

Abstract: 本公开的光半导体装置具备：脊构造(5)，形成于第一导电型半导体基板(1)；埋入层(6)，埋入于脊构造(5)的两侧面；第二导电型第二包层(7)以及第二导电型接触层(8)，依次层叠于脊构造(5)的顶部和埋入层(6)的表面；台面构造(13)，由从第二导电型接触层(8)到达第一导电型半导体基板(1)的台面来形成两侧面；散热层(9)，设置于第二导电型接触层(8)的表面；台面保护膜(10)，覆盖台面构造(13)的两侧面以及第二导电型接触层(8)的表面的两端部；以及第二导电型侧电极(11)，与第二导电型接触层(8)电连接。

公开(公告)号：CN114144950B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201980098628.0

申请日：2019-08-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫越亮辅 ,  中村直干 ,  小坂尚希

IPC: H01S5/02326 ,  H01S5/02255 ,  H01S5/0239

Abstract: 半导体激光装置(70)具备半导体激光元件(13)、接收从半导体激光元件(13)射出的激光(4)的光检测器(10)、以及搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座(1)。半导体激光元件(13)配置在光检测器(10)的最远离管座(1)的搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座表面(34)的最远部(59)与管座表面(34)之间的管座表面(34)侧。光检测器(10)在形成于与半导体激光元件(13)对置的一侧的接收激光(4)的受光面(17)形成有反射膜(20)，该反射膜(20)使激光(4)的一部分透过并且反射剩余的部分。

公开(公告)号：CN114144950A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201980098628.0

申请日：2019-08-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫越亮辅 ,  中村直干 ,  小坂尚希

IPC: H01S5/02326 ,  H01S5/02255 ,  H01S5/0239

Abstract: 半导体激光装置(70)具备半导体激光元件(13)、接收从半导体激光元件(13)射出的激光(4)的光检测器(10)、以及搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座(1)。半导体激光元件(13)配置在光检测器(10)的最远离管座(1)的搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座表面(34)的最远部(59)与管座表面(34)之间的管座表面(34)侧。光检测器(10)在形成于与半导体激光元件(13)对置的一侧的接收激光(4)的受光面(17)形成有反射膜(20)，该反射膜(20)使激光(4)的一部分透过并且反射剩余的部分。

公开(公告)号：CN119213646A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202280096016.X

申请日：2022-05-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前原宏昭 ,  平聪 ,  渊田步 ,  铃木凉子 ,  宫越亮辅

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/227

Abstract: 半导体激光器(100)具备：形成于n型半导体基板(1)的脊(5)、和以覆盖与脊的延伸方向亦即y方向垂直的x方向的两侧的方式埋入的埋入层(25)。在脊突出的方向亦即z方向的正侧以及埋入层的z方向的正侧具备：p型第二包覆层(9)、p型接触层(10)、与p型接触层连接的表面侧电极(12)、以及形成于沿x方向从脊离开的外缘的半绝缘性层(11)，在该半导体激光器(100)的x方向的端部(29a、29b)侧的z方向的正侧，形成有半绝缘性层或者表面侧电极。

公开(公告)号：CN116491036A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202080106480.3

申请日：2020-11-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木凉子 ,  松本启资 ,  中村直干 ,  宫越亮辅

IPC: H01S5/024

Abstract: 本公开的光半导体装置具备：脊构造(5)，形成于第一导电型半导体基板(1)；埋入层(6)，埋入于脊构造(5)的两侧面；第二导电型第二包层(7)以及第二导电型接触层(8)，依次层叠于脊构造(5)的顶部和埋入层(6)的表面；台面构造(13)，由从第二导电型接触层(8)到达第一导电型半导体基板(1)的台面来形成两侧面；散热层(9)，设置于第二导电型接触层(8)的表面；台面保护膜(10)，覆盖台面构造(13)的两侧面以及第二导电型接触层(8)的表面的两端部；以及第二导电型侧电极(11)，与第二导电型接触层(8)电连接。

公开(公告)号：CN115152107A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202080097388.5

申请日：2020-02-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫越亮辅 ,  中村直干 ,  小坂尚希 ,  篠原弘介

IPC: H01S5/20 ,  G02B6/12 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/026

Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：透镜(6)；管座(1)；LD芯片(3)，以光束中心(Cb)沿着管座(1)的安装面(1ft)的方式射出激光；以及PD芯片(5)，在表面具有由电介质多层膜形成的反射面(5fm)，将从LD芯片(3)射出的激光朝向透镜(6)反射，并且测量激光的光量，在LD芯片(3)设置有波导部(3sw)，该波导部(3sw)具有：末端部(3swe)，形成于前端面(3ff)侧，并具有0.5μm以上且0.7μm以下的宽度(We)；和锥部(3swt)，与末端部(3swe)相连，并且宽度随着朝向末端部(3swe)而以0.018以上且0.033以下的梯度(Gt)变窄。