公开(公告)号：CN109814312A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811369069.6

申请日：2018-11-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫川修

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G02B27/22

Abstract: 图像显示装置使在视差屏障快门面板构成的子开口的宽度变窄，且抑制视差屏障快门面板的边框区域的增大，并降低由透明电极的断线引起的不良。视差屏障快门面板的第1透明基板(21)在显示区域(51)具有配置于层间绝缘膜(61)之下的下层透明电极(24a)和配置于层间绝缘膜(61)之上的上层透明电极(24b)作为在纵向延伸的第1透明电极(24)。另外，第1透明基板在与显示区域(51)相邻的输入侧连接区域(52)具有用于将来自驱动IC(54)的屏障控制信号向第1透明电极(24)输入的配线，在从显示区域观察时位于与输入侧连接区域(52)相反侧且与显示区域相邻的反输入侧连接区域(56)具有将被输入同一屏障控制信号的第1透明电极彼此连接的共通配线。

公开(公告)号：CN104102059B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410131136.6

申请日：2014-04-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小田耕治 ,  井上和式 ,  石贺展昭 ,  宫川修

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置，防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜（10）。在有机绝缘膜上方形成共通电极（12）及引出配线（11），在共通电极的上方隔着层间绝缘膜（15）而形成有像素电极（16）。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔（35）而与引出配线连接。引出配线（11）及共通电极（12）分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）而与漏极电极（8）及共通配线（3）连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）内，在共通电极（12）及引出配线（11）的上方设置有金属覆盖膜（13、14）。

公开(公告)号：CN103091915B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210440476.8

申请日：2012-11-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 外德仁 ,  永野慎吾 ,  岛村武志 ,  宫川修

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136295 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供一种能抑制透明导电膜上的绝缘膜产生膜浮起，且得到透明导电膜与金属膜的良好的电连接性的布线构造。在和分别作为布线起作用的第一导电膜(2)与第二导电膜(5)连接的布线转换部(45)中，第一透明导电膜(6)具有在该第一透明导电膜(6)的角部附近不覆盖第二导电膜(5)的端面，在角部附近以外覆盖第二导电膜(5)的端面的部分。第一透明导电膜(6)的上层的第二透明导电膜(7)通过与第二导电膜(5)和第一导电膜(2)连接，第一导电膜(2)与第二导电膜(5)被电连接。

公开(公告)号：CN101344695A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810136155.2

申请日：2008-07-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫川修 ,  荒木利夫

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制造方法，其中能抑制具有端子的金属薄膜的腐蚀等。涉及本发明的显示面板具有：公共布线(4)，形成在TFT阵列基板(30)上并具有第一端子(5)；第一透明导电性膜(6)，形成在公共布线(4)上；层间绝缘膜(15)，形成在第一透明导电性膜(6)上，并在显示区域(54)的外侧而且是密封材料(50)的内侧具有第一端子部接触孔(17)；以及端子焊盘(20)，形成在层间绝缘膜(15)上，并在第一端子部接触孔(17)中经由第一透明导电性膜(6)与公共布线(4)电连接。

公开(公告)号：CN109120914A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810620212.8

申请日：2018-06-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川渊真嗣 ,  宫川修

IPC: H04N13/31 ,  H04N13/398 ,  G02B27/22

Abstract: 提供可缩小视差屏障快门面板的子开口宽度的图像显示装置。图像显示装置(1)具有：视差屏障快门面板(20)，构成为在横向配置有多个子开口(200)，该子开口通过由在纵向延伸的第1透明电极(24)对保持于第1透明基板(21)与第2透明基板(22)之间的液晶层(23)进行驱动，从而能够对透光状态和遮光状态进行切换。第1透明基板在显示区域(51)内具有配置于层间绝缘膜(61)之下的下层第1透明电极和配置于层间绝缘膜之上的上层第1透明电极作为第1透明电极。另外，第1透明基板在与显示区域相邻的区域内具有配置于层间绝缘膜之下的下层金属配线(71)和配置于层间绝缘膜之上的上层金属配线(72)。下层透明电极与下层金属配线连接。

公开(公告)号：CN103091915A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210440476.8

申请日：2012-11-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 外德仁 ,  永野慎吾 ,  岛村武志 ,  宫川修

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136295 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供一种能抑制透明导电膜上的绝缘膜产生膜浮起，且得到透明导电膜与金属膜的良好的电连接性的布线构造。在和分别作为布线起作用的第一导电膜(2)与第二导电膜(5)连接的布线转换部(45)中，第一透明导电膜(6)具有在该第一透明导电膜(6)的角部附近不覆盖第二导电膜(5)的端面，在角部附近以外覆盖第二导电膜(5)的端面的部分。第一透明导电膜(6)的上层的第二透明导电膜(7)通过与第二导电膜(5)和第一导电膜(2)连接，第一导电膜(2)与第二导电膜(5)被电连接。

公开(公告)号：CN101344695B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200810136155.2

申请日：2008-07-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫川修 ,  荒木利夫

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制造方法，其中能抑制具有端子的金属薄膜的腐蚀等。涉及本发明的显示面板具有：公共布线(4)，形成在TFT阵列基板(30)上并具有第一端子(5)；第一透明导电性膜(6)，形成在公共布线(4)上；层间绝缘膜(15)，形成在第一透明导电性膜(6)上，并在显示区域(54)的外侧而且是密封材料(50)的内侧具有第一端子部接触孔(17)；以及端子焊盘(20)，形成在层间绝缘膜(15)上，并在第一端子部接触孔(17)中经由第一透明导电性膜(6)与公共布线(4)电连接。

公开(公告)号：CN1717781A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200480001492.0

申请日：2004-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  宫川修 ,  坂本孝雄

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02595 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底(1)上形成非晶硅膜(2)的非晶硅层叠工序；对上述非晶硅膜(2)照射激光(16)，将上述非晶硅膜(2)的至少一部分变换为多晶硅膜(3)的照射工序；以及在上述照射工序之后，在含氧的气氛中氧化上述多晶硅膜(3)表面的氧化工序，作为上述激光(16)，使用将波长为≥350nm且≤800nm的脉冲激光变换成在宽度方向上具有至少≥3(mJ/cm2)/μm的能量密度梯度的线形光束的激光，在温度为≥500℃且≤650℃、且压力≥10大气压的饱和水蒸气的气氛中进行上述氧化工序。利用此方法，能够容易地制造出结晶性优良的半导体器件。

公开(公告)号：CN104102059A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410131136.6

申请日：2014-04-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小田耕治 ,  井上和式 ,  石贺展昭 ,  宫川修

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置，防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜（10）。在有机绝缘膜上方形成共通电极（12）及引出配线（11），在共通电极的上方隔着层间绝缘膜（15）而形成有像素电极（16）。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔（35）而与引出配线连接。引出配线（11）及共通电极（12）分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）而与漏极电极（8）及共通配线（3）连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）内，在共通电极（12）及引出配线（11）的上方设置有金属覆盖膜（13、14）。

公开(公告)号：CN100502052C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610094573.0

申请日：2006-06-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  宫川修

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78666

Abstract: 在有机电致发光型显示装置中，作为使各像素的亮度均匀的手段而列举出如下技术，配置用来补偿薄膜晶体管的特性偏差的多个薄膜晶体管以控制电流。但是，在有机电致发光型显示装置中需要控制微弱的电流，仅通过上述补偿并不足以使电流均匀化。本发明所述有机电致发光型显示装置中的薄膜晶体管的特征在于，具有共用了源区域(7b)和漏区域(7c)的多个沟道区域(7a)，且具有它的图形端加工成锥形状的多晶硅膜(7)，进而还具有如下特征，各沟道区域(7a)的沟道宽(W)为5μm以上30μm以下。