-
公开(公告)号：CN102428634B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080021721.0
申请日：2010-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H03K17/168 , H02M1/08 , H03K17/163
Abstract: 在对电压驱动型的开关元件(1)进行驱动的栅极驱动电路(10)中，设置电流限制电路(6)，该电流限制电路(6)以电流限制值IL为上限值来限制在接通时经由栅极电阻(3a)流向栅极端子的栅极电流ig。电流限制值IL被设定为高于开关元件(1)接通时产生密勒效应的期间的栅极电流值I2、且低于没有电流限制电路(6)的限制的情况下的接通时主电流开始流动的时刻的栅极电流值I1。而且，通过使在开关元件(1)接通时开关元件(1)的集电极电流的开始流动时的变化变得缓慢来降低高频噪声。
-
公开(公告)号：CN102576041B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201080040989.9
申请日：2010-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中武浩
IPC: G01R19/165
CPC classification number: H03K17/0822 , G01R19/0092 , H02H3/08 , H02M2001/0009
Abstract: 在使用了具备主单元和电流检测单元的功率半导体元件的半导体装置中，高精度地探测负载过电流，并且高速地探测短路电流。将电流检测单元(2)的输出与运算放大器(6)的反转输入端子(61)连接，并且运算放大器(6)的非反转输入端子(62)与施加了源偏置电压的主单元(1)的源极连接，具备：第一错误探测电路(21)，通过包括运算放大器(6)和检测电阻(12)的电流/电压变换电路将电流检测单元(2)的输出电流变换为检测电压，比较该检测电压和第一基准电压而输出错误信号；以及第二错误探测电路(22)，比较运算放大器(6)的反转输入端子(61)的电压和被设定为高于所述源偏置电压的第二基准电压而输出错误信号。
-
公开(公告)号：CN103620930A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201180071478.8
申请日：2011-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H03K17/04206 , H02M1/08 , H03K17/04213 , H03K17/164 , H03K17/168 , H03K17/74
Abstract: 一种栅极驱动电路，其对作为功率用半导体元件的IGBT（2）进行驱动，该栅极驱动电路具有：恒流栅极驱动电路（1），其以恒定电流对IGBT（2）的栅极容量进行充电；以及恒压栅极驱动电路（5），其经由MOSFET（4）及电阻（5-1）的串联电路，并联连接在恒流栅极驱动电路（1）的输入和输出端之间，以恒定电压对IGBT（2）的栅极容量进行充电，在该栅极驱动电路中，在驱动IGBT（2）时，使用恒流栅极驱动电路（1）和恒压栅极驱动电路（5）这两者，对IGBT（2）的栅极容量进行充电。
-
公开(公告)号：CN107293534B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710535132.8
申请日：2013-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块。本发明的电力用半导体模块100具备：电路块(上下分支)101、102，将自消弧式半导体元件6串联连接而构成；正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，与电路块101、102连接；以及布线图案3、4，连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，电路块101、102是多个，与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。
-
公开(公告)号：CN103368376A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210245918.3
申请日：2012-07-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种降噪滤波器及使用该滤波器的功率转换装置，其有效地抑制在噪声源附近产生的辐射噪声。将Y电容器（28a）和Y电容器（28b）作为滤波器电路要素而构成，其中，Y电容器（28a）是在P导体（23）和搭载模块（21）的接地导体（25）的延伸设置部之间夹持绝缘体（26a）而形成的，Y电容器（28b）以接地导体（25）的延伸设置部为基准，配置在P导体（23）的相反侧，是在N导体（24）和接地导体（25）的延伸设置部之间夹持绝缘体（26b）而形成的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101421910A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780010820.7
申请日：2007-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种当在半导体元件(1)的栅电压未下降完毕的状态下，栅开启的命令来到时，防止半导体元件(1)异常的误检测的装置，仅在与向控制电路(2)输入了开启信号时的半导体元件(1)的控制量Qon相对应的期间内允许对半导体元件(1)的控制量(栅电压)进行检测处理，将在该期间内检测的检测控制量Qt和根据上述控制量Qon设定的控制量比较值Qs进行比较来输出异常信号，并以比正常遮断时的速度慢的速度遮断半导体元件(1)。
-
公开(公告)号：CN111048491B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911352122.6
申请日：2013-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块以及电力变换装置。本发明的电力用半导体模块100具备：电路块(上下分支)101、102，将自消弧式半导体元件6串联连接而构成；正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，与电路块101、102连接；以及布线图案3、4，连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，电路块101、102是多个，与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。
-
公开(公告)号：CN105075082A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480007841.3
申请日：2014-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H03K17/145 , H03K17/0828 , H03K17/14 , H03K17/161 , H03K2017/0806
Abstract: 具备检测开关元件(1)的温度的温度检测电路(4)，对温度检测电路(4)提供正向电流的电流源(5)，对温度检测电路(4)的正向电压进行放大的放大电路(9)，根据放大电路(9)的输出电压来调整开关元件(1)的栅极电流的大小的电流调整电路(12)，以及接受外部信号而使开关元件(1)导通/断开的驱动电路(7、8)，根据与温度检测电路(4)的温度变化对应的正向电压的大小的变化，调整从电流调整电路(12)流过开关元件(1)的栅电极的栅极电流的大小。
-
公开(公告)号：CN103098198B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201180042203.1
申请日：2011-08-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/822 , G01K7/01 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7803 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够迅速并且正确地检测与内置的半导体晶体管的温度相关的信息的半导体装置。在本发明中，MOSFET（1）具有多个单元，具有：主单元群（2），包括多个单元中的、用于对负载供给电流的单元；以及传感单元群（3），包括用于检测与MOSFET（1）的温度相关的温度信息的单元。对于主单元群（2）和传感单元群（3），表示相对温度的变化的电气特性的变化的温度特性不同。温度检测电路（10）例如根据主单元群（2）中流过的主电流的值和传感单元群（3）中流过的传感电流的值，检测MOSFET（1）的温度。
-
公开(公告)号：CN102428634A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021721.0
申请日：2010-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H03K17/168 , H02M1/08 , H03K17/163
Abstract: 在对电压驱动型的开关元件(1)进行驱动的栅极驱动电路(10)中，设置电流限制电路(6)，该电流限制电路(6)以电流限制值IL为上限值来限制在接通时经由栅极电阻(3a)流向栅极端子的栅极电流ig。电流限制值IL被设定为高于开关元件(1)接通时产生密勒效应的期间的栅极电流值I2、且低于没有电流限制电路(6)的限制的情况下的接通时主电流开始流动的时刻的栅极电流值I1。而且，通过使在开关元件(1)接通时开关元件(1)的集电极电流的开始流动时的变化变得缓慢来降低高频噪声。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.021 seconds)
