公开(公告)号：CN101884092A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118851.9

申请日：2008-12-03

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 望月英章 ,  石川诚 ,  齐藤范之

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/06 ,  C11D7/18 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D17/08

CPC classification number: C11D3/044 ,  C11D1/72 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/263 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板的清洗方法，该方法对附着在基板表面的微小粒子或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属的复合污染的除去性以及再附着防止性优异，不会腐蚀基板表面，并且即使不施加强的超声波也可以高度清洁化。本发明的半导体器件用基板的清洗方法使用含有以下成分(A)～(D)的清洗液，并以每1cm2超声波照射基板0.2W～1.5W的强度施加超声波，由此对半导体器件用基板进行清洗。(A)过氧化氢、(B)碱、(C)水、(D)下述通式(1)表示的化合物，R1-O-(-R2-O-)n-H(1)，式中，R1表示碳原子数1～4的烷基、R2表示碳原子数2～3的亚烷基、n表示1～3的整数。

公开(公告)号：CN1420161A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02151346.5

申请日：2002-11-18

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 森永均 ,  望月英章 ,  伊藤笃史

IPC: C11D1/722 ,  C11D3/39

CPC classification number: C11D3/044 ,  C11D1/72 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/007 ,  C23G1/18 ,  H01L21/02052

Abstract: 提供在半导体器件或显示器件等制造过程中，与现有技术相比，能够高效率地对器件用基片去除微小微粒子污染的洗净液及洗净方法。以至少含有以下的(A)、(B)、(C)、(D)，pH是9以上，(C)的含量是0.01重量％以上4重量％以下为特征的基片表面洗净液。(A)是在同一分子结构内具有可以有取代基的烃基和聚氧亚乙基环氧乙烷加成型表面活性剂，是以包含在该烃基中的碳原子数(m)和聚氧亚乙基中的氧亚乙基的数(n)的比率是m/n≤1.5为特征的表面活性剂(B)碱成分(C)过氧化氢(D)水。