公开(公告)号：CN107109135A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580073046.9

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 卢钟一 ,  姜东宪 ,  郑正焕 ,  崔渶楠

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光铜线的CMP浆料组合物，CMP浆料组合物包含胶态二氧化硅、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂、pH调节剂、以及超纯水。胶态二氧化硅具有72.9至88.5m2/g的比表面积(BET)，并且CMP浆料组合物中包括0.1至2wt％的胶态二氧化硅。CMP浆料组合物具有优异的铜线抛光速率，具有少量的缺陷，并且最小化抛光之后的刮痕，并且可以最小化凹陷。

公开(公告)号：CN107109192A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580061512.1

申请日：2015-12-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑正焕 ,  郑荣哲 ,  姜东宪 ,  金泰完 ,  卢锺一 ,  洪昌基

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  C23F3/04

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  H01L21/3212 ,  C09K3/1454 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供一种用于研磨铜的CMP浆料组合物。CMP浆料组合物包含：研磨粒子及去离子水，其中所述研磨粒子包含无机粒子及有机粒子，且无机粒子与有机粒子两者均具有正界达电位。