公开(公告)号：CN117448824A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311566341.0

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C23F1/26 ,  H01L21/306 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/18 ,  C23F1/28 ,  C09K13/06

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN110911278A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN110911278B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN108102654B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201711188427.9

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李轸雨 ,  金建伶 ,  韩勋 ,  林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。

公开(公告)号：CN108102654A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711188427.9

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李轸雨 ,  金建伶 ,  韩勋 ,  林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

CPC classification number: C09K13/08 ,  C09K13/06 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  C09K13/04

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。

公开(公告)号：CN107919278A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710816716.2

申请日：2017-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光秀 ,  车世浩 ,  高镛璿 ,  金建伶 ,  金坰显 ,  文彰燮 ,  成忠基 ,  宋善重 ,  李轸雨 ,  韩勋

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/67086 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。湿蚀刻方法包括：在工艺槽中提供晶圆，工艺槽在其中容纳蚀刻剂；向工艺槽供应主要蚀刻剂以控制蚀刻剂中的特定材料的浓度；向工艺槽供应第一添加剂以增大蚀刻剂中的特定材料的浓度；以及向工艺槽供应第二添加剂以抑制由蚀刻剂中的特定材料的浓度的增大而导致的缺陷。蚀刻剂包括主要蚀刻剂、第一添加剂和第二添加剂中的至少一种。将第一添加剂和第二添加剂分开地供应到工艺槽。