公开(公告)号：CN1749354B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200510106764.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 赵弘济 ,  李承傭 ,  李俊雨 ,  李在连 ,  千承焕 ,  崔容硕 ,  朴英哲 ,  金珍洙 ,  金圭祥 ,  崔东旭 ,  林官泽

IPC: C09K13/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵-基材料的蚀刻抑制剂，及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。

公开(公告)号：CN1749354A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510106764.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 赵弘济 ,  李承傭 ,  李俊雨 ,  李在连 ,  千承焕 ,  崔容硕 ,  朴英哲 ,  金珍洙 ,  金圭祥 ,  崔东旭 ,  林官泽

IPC: C09K13/04 ,  C23F1/16

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵－基材料的蚀刻抑制剂及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。