公开(公告)号：CN114496954A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110659197.X

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S.朴 ,  孙吉焕 ,  徐训硕 ,  任廷爀 ,  金基一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体架构及其制造方法。该半导体架构包括：载体衬底；包括在载体衬底中的落着垫；提供在载体衬底的第一表面上的第一半导体器件，第一半导体器件包括提供在落着垫上的第一组件；提供在载体衬底的第二表面上的第二半导体器件；以及第二组件，从第二半导体器件突出并提供在落着垫上。

公开(公告)号：CN114823674A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210099485.9

申请日：2022-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  S.朴 ,  李昇映

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：在三维(3D)堆叠中的交叉联接栅极电路，包括多个晶体管，所述多个晶体管当中的第一晶体管的第一栅线连接到所述多个晶体管当中的第四晶体管的第四栅线，所述多个晶体管当中的第二晶体管的第二栅线连接到所述多个晶体管当中的第三晶体管的第三栅线；连接第一栅线和第四栅线的第一导体；连接第二栅线和第三栅线的第二导体。第一栅线和第二栅线分别布置在第三栅线和第四栅线上方。

公开(公告)号：CN114823673A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111386102.8

申请日：2021-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S.朴 ,  李昇映

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体架构，其具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，该半导体架构包括：被包括在MOSFET单元中的第一半导体器件；被包括在MOSFET单元中的第二半导体器件，第二半导体器件提供在第一半导体器件之上；配置为向第一半导体器件供电的第一电源轨，第一电源轨提供在与第一半导体器件和第二半导体器件不同的垂直水平；以及配置为向第二半导体器件供电的第二电源轨，第二电源轨提供在第一半导体器件和第二半导体器件之间的垂直水平。