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公开(公告)号：CN104347520B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201410366642.3
申请日：2014-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。
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公开(公告)号：CN104347520A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410366642.3
申请日：2014-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/788 , G06N3/049 , G06N3/063 , G11C11/54 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C14/0063 , G11C16/0433 , G11C2213/15 , G11C2213/53 , H01L27/11521 , H01L28/00 , H01L29/408 , H01L29/42324 , H01L29/51 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/685 , H01L29/78 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/147 , H01L21/8239 , H01L27/115 , H01L29/66007
Abstract: 本发明提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。
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公开(公告)号：CN103715259B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201310221610.X
申请日：2013-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极相邻的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。
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公开(公告)号：CN103715259A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310221610.X
申请日：2013-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管（TFET）。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极间隔开的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。
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