公开(公告)号：CN114256157A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110646168.X

申请日：2021-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李多仁 ,  姜玧求 ,  柳原锡 ,  马振源 ,  朴俓旭 ,  徐昌佑 ,  宋秀娟

IPC: H01L21/8242

Abstract: 公开了一种用于制造包括气隙的半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤：将半导体基底装载到腔室中，半导体基底包括氧化硅膜；通过供应第一硅源材料在氧化硅膜上沉积种子层；在种子层上供应吹扫气体；通过重复第一循环在种子层上沉积保护层，第一循环包括供应基体源材料层和随后供应第一硅源材料；以及通过重复第二循环在保护层上沉积氮化硅膜，第二循环包括供应第二硅源材料和随后供应氮源材料。

公开(公告)号：CN114582799A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111196041.9

申请日：2021-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马振源 ,  郑天炯 ,  具滋玟 ,  金奎完 ,  文大荣 ,  柳原锡

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：字线，在第一方向上横跨基底延伸并且在与第一方向不同的第二方向上分隔开；位线，在字线上沿第二方向延伸并且在第一方向上分隔开；第一接触插塞，布置在位线之间，接触基底的第一有源区，具有第一宽度，并且具有第一掺杂剂浓度；以及第二接触插塞，布置在位线之间，接触基底的第二有源区，具有第二宽度，并且具有比第一掺杂剂浓度小的第二掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN114068553A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110778357.2

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马振源 ,  具滋玟 ,  文大荣 ,  金奎完 ,  金奉炫 ,  金永锡

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件分隔膜和由所述元件分隔膜限定的有源区；位线结构，所述位线结构位于所述衬底上；沟槽，所述沟槽位于所述元件分隔膜和所述有源区中，所述沟槽位于所述位线结构的至少一侧，并且包括位于所述元件分隔膜中的第一部分和位于所述有源区中的第二部分，所述第一部分的底表面布设为高于所述第二部分的底表面；单晶存储接触，所述单晶存储接触填充所述沟槽；和信息存储元件，所述信息存储元件电连接到所述单晶存储接触。