公开(公告)号：CN100477227C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610126608.4

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金振均 ,  金起善 ,  安宰永

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/318 ,  H01L27/10885

Abstract: 半导体存储器件包括半导体衬底。在半导体衬底上设置层间介质。在层间介质上设置位线。位线隔片由包含硼和/或碳的氮化物层所制成，并覆盖位线的侧壁。还提供了制造半导体存储器件的方法。

公开(公告)号：CN104794523B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510208292.2

申请日：2010-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜真泰 ,  金起善 ,  李东阳 ,  孔道一 ,  李晟熏

IPC: G06K19/077

Abstract: 本发明提供一种存储卡和电子装置。该存储卡包括用于与外部电子装置电连接的互连端子。互连端子可以与存储卡的前面隔开一距离，该距离大于互连端子的长度。备选地，存储卡可以在其前面与之前的互连端子之间包括其它互连端子。之前的互连端子和之后的互连端子可以用于与不同类型的电子装置电连接。

公开(公告)号：CN104794523A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510208292.2

申请日：2010-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜真泰 ,  金起善 ,  李东阳 ,  孔道一 ,  李晟熏

IPC: G06K19/077

Abstract: 本发明提供一种存储卡和电子装置。该存储卡包括用于与外部电子装置电连接的互连端子。互连端子可以与存储卡的前面隔开一距离，该距离大于互连端子的长度。备选地，存储卡可以在其前面与之前的互连端子之间包括其它互连端子。之前的互连端子和之后的互连端子可以用于与不同类型的电子装置电连接。

公开(公告)号：CN102087879A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010576815.6

申请日：2010-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜真泰 ,  金起善 ,  李东阳 ,  孔道一 ,  李晟熏

IPC: G11C16/02

CPC classification number: H01R13/44 ,  G06F1/16 ,  G06F1/185 ,  G06K19/07732 ,  G06K19/07743 ,  G11C5/05 ,  G11C16/06 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种存储卡和电子装置。该存储卡包括用于与外部电子装置电连接的互连端子。互连端子可以与存储卡的前面隔开一距离，该距离大于互连端子的长度。备选地，存储卡可以在其前面与之前的互连端子之间包括其它互连端子。之前的互连端子和之后的互连端子可以用于与不同类型的电子装置电连接。

公开(公告)号：CN1949518A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610126608.4

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金振均 ,  金起善 ,  安宰永

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/318 ,  H01L27/10885

Abstract: 半导体存储器件包括半导体衬底。在半导体衬底上设置层间介质。在层间介质上设置位线。位线隔片由包含硼和/或碳的氮化物层所制成，并覆盖位线的侧壁。还提供了制造半导体存储器件的方法。