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公开(公告)号：CN103022314B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210396187.2
申请日：2009-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K1/0295 , H01L25/0753 , H01L2224/16225 , H05K2201/09227 , H05K2201/09254 , H05K2201/09318 , H05K2201/0949 , H05K2201/09663 , H05K2201/09954 , H05K2201/10106 , H05K2203/173
Abstract: 本发明提供一种发光器件，包括：副底座，其包括基础基板、安装部、第一电极及第二电极、以及穿过所述基础基板延伸的多个通路，所述通路包括金属，所述安装部形成在所述基础基板的一面，且可安装发光元件，所述第一电极及第二电极形成在所述基础基板的另一面，且和所述安装部电连接；透明树脂层，形成在所述发光元件和所述安装部上；以及磷光体层，形成在所述透明树脂层上，包含吸收由所述发光元件产生的光并转换光的波长的磷光体。
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公开(公告)号：CN103227169A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310142009.1
申请日：2009-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
CPC classification number: H01L27/15 , F21W2131/103 , F21Y2115/10 , H01L25/0756 , H01L33/20 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01039
Abstract: 本发明涉及一种发光器件，包括：第一发光结构，包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案，并且根据施加到第二半导体图案和第一半导体图案的偏压而开启或关闭；第二发光结构，包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案，并且根据施加到第四半导体图案和第三半导体图案的偏压而开启或关闭；倾斜侧壁表面；绝缘图案；中间材料层；以及阻挡层，其中第一至第四半导体图案及第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1-x-y)N，0≤x≤1,0≤y≤1，连接到第一导电类型的第一半导体图案的第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成，并且具有碗形和倾斜侧壁。
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公开(公告)号：CN101614381A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910149964.1
申请日：2009-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K1/0295 , H01L25/0753 , H01L2224/16225 , H05K2201/09227 , H05K2201/09254 , H05K2201/09318 , H05K2201/0949 , H05K2201/09663 , H05K2201/09954 , H05K2201/10106 , H05K2203/173
Abstract: 本发明提供一种副底座、包括副底座的发光器件以及制造方法。该副底座适于安装在其上的器件的AC和DC运行，其包括：基础基板，包括第一表面和第二表面，第一表面与第二表面不同；在第一表面上的导电图案；在第二表面上的第一对第一和第二电极和第二对第一和第二电极；以及延伸穿过第一表面与第二表面之间的基础基板的多个通路，其中导电图案包括沿第一对第一和第二电极的第一电极和第二电极之间的第一电路路径的第一组安装部和两个通路部，以及沿第二对第一和第二电极的第一电极和第二电极之间的第二电路路径的第二组安装部和两个通路部，并且通路部通过通路将导电图案的相应部分连接到第一对第一和第二电极及第二对第一和第二电极中的相应电极。
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公开(公告)号：CN101604724A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910149627.2
申请日：2009-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L21/60
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/73 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01066 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法。发光器件包括：在底板上的第一电极；在底板上的第二电极；在底板上的第三电极；发射结构，在第一电极上和/或与第一电极处于相同的高度；第一图案，在底板上且电连接到第一电极；以及在底板上的多个第二图案，其中至少一个第二图案布置在第一图案的第一侧且电连接到第二电极，至少另一个第二图案布置在第一图案的第二侧且电连接到第三电极，第一侧与第二侧相反。
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公开(公告)号：CN101577303A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910137124.3
申请日：2009-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
IPC: H01L33/00 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/0095 , H01L33/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光二极管封装、发光二极管系统及其制造方法。在形成LED半导体器件的方法中和在LED半导体器件中，在衬底上设置LED。在LED上设置第一密封剂材料层，该第一密封剂材料层被首先进行退火。在被首先进行退火的第一密封剂材料层上设置发光转换材料层，第一密封剂材料层和发光转换材料层被进行第二退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103227169B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310142009.1
申请日：2009-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
CPC classification number: H01L27/15 , F21W2131/103 , F21Y2115/10 , H01L25/0756 , H01L33/20 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01039
Abstract: 本发明涉及一种发光器件，包括：第一发光结构，包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案，并且根据施加到第二半导体图案和第一半导体图案的偏压而开启或关闭；第二发光结构，包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案，并且根据施加到第四半导体图案和第三半导体图案的偏压而开启或关闭；倾斜侧壁表面；绝缘图案；中间材料层；以及阻挡层，其中第一至第四半导体图案及第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1-x-y)N，0≤x≤1,0≤y≤1，连接到第一导电类型的第一半导体图案的第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成，并且具有碗形和倾斜侧壁。
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公开(公告)号：CN103219451A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310135179.7
申请日：2009-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/73 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01066 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法。发光器件包括：在底板上的第一电极；在底板上的第二电极；在底板上的第三电极；发射结构，在第一电极上和/或与第一电极处于相同的高度；第一图案，在底板上且电连接到第一电极；以及在底板上的多个第二图案，其中至少一个第二图案布置在第一图案的第一侧且电连接到第二电极，至少另一个第二图案布置在第一图案的第二侧且电连接到第三电极，第一侧与第二侧相反。
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公开(公告)号：CN101645443A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910162143.1
申请日：2009-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
IPC: H01L25/075 , H01L21/60 , H01L33/00
CPC classification number: H01L27/15 , F21W2131/103 , F21Y2115/10 , H01L25/0756 , H01L33/20 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01039
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件、具有该半导体器件的半导体封装及其制造方法，该半导体器件包括：第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层，第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。
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公开(公告)号：CN1574711A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410001242.9
申请日：2004-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B10/148
CPC classification number: H04B10/66 , H01L2224/05554 , H01L2224/48137 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有顶开容器(TO－Can)结构的光接收器模块，包括其上具有孔的晶体管座。所述孔通过所述晶体管座的两侧。光电二极管安装在所述晶体管座上侧上。光接收器模块包括：安装在所述晶体管座上的跨阻抗放大器；通过形成在所述晶体管座上的孔的信号引线；从所述晶体管座延伸的接地引线，用于将所述晶体管座接地至所述光接收器模块外部；和安装在所述晶体管座上预定位置上的波导，用来使跨阻抗放大器与引线之间的阻抗匹配，所述波导通过相应的电路将跨阻抗放大器的输出端子输出的所述无线电频率信号传导至各个引线。
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公开(公告)号：CN103219451B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310135179.7
申请日：2009-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/73 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01066 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法。发光器件包括：在底板上的第一电极；在底板上的第二电极；在底板上的第三电极；发射结构，在第一电极上和/或与第一电极处于相同的高度；第一图案，在底板上且电连接到第一电极；以及在底板上的多个第二图案，其中至少一个第二图案布置在第一图案的第一侧且电连接到第二电极，至少另一个第二图案布置在第一图案的第二侧且电连接到第三电极，第一侧与第二侧相反。
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