公开(公告)号：CN116507115A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211232958.4

申请日：2022-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世兰 ,  金硕壎 ,  安星柱 ,  金延昱

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括多个有源图案；以及位线，在基底上与多个有源图案中的至少一个交叉并且在第一方向上延伸。位线包括在第一方向上延伸的第一导电图案、位于第一导电图案上在第一方向上延伸的位线覆盖图案以及位于第一导电图案与位线覆盖图案之间在第一方向上延伸的石墨烯图案。第一导电图案可以包括钌(Ru)。

公开(公告)号：CN115241133A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202111570177.1

申请日：2021-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  金汶根 ,  金硕壎 ,  林东灿

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了用于制造半导体装置的方法。根据公开的示例性实施例的半导体装置制造方法包括：对基底进行图案化，从而形成有源图案；形成穿透有源图案的沟槽；形成覆盖沟槽的支撑层；在支撑层处形成第一开口；通过第一开口形成填充沟槽的栅电极层；以及形成电连接到有源图案的位线结构。支撑层包括覆盖有源图案的顶表面的基部以及设置在沟槽中的支撑部。

公开(公告)号：CN119028905A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410532402.X

申请日：2024-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡源 ,  具奉珍 ,  金硕壎 ,  朴志镐 ,  柳相赫 ,  河龙湖 ,  穆萨拉特·哈桑

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成衬底，该衬底包括具有第一区域和暴露第一区域的接触孔的结构；将衬底装载到工艺室中；在工艺室内在金属‑半导体化合物形成温度或更高温度下重复地执行沉积工艺和浸泡工艺两次或更多次，该沉积工艺包括重复地在第一持续时间内向工艺气体施加射频(RF)等离子体功率和在第二持续时间内不向工艺气体施加RF等离子体功率，该浸泡工艺不使用等离子体，从而形成第一区域上的金属‑半导体化合物层、接触孔的侧壁上的侧壁材料层、以及所述结构上的上材料层；在工艺室中执行去除侧壁材料层的至少一部分的去除工艺；以及在执行去除工艺之后从工艺室卸载衬底。

公开(公告)号：CN115696910A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210630011.2

申请日：2022-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  金硕壎 ,  金孝燮

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种具有改善的电特性和可靠性的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离膜限定的有源区域，有源区域包括第一部分和第二部分，第二部分分别位于第一部分的两个相对侧上；位线，位于基底上并且跨有源区域延伸；以及位线接触件，位于基底与位线之间并且连接到有源区域的第一部分。位线接触件包括第一钌图案，并且第一钌图案的上表面的宽度小于第一钌图案的底表面的宽度。