公开(公告)号：CN103544988B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201310293461.8

申请日：2013-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金中植 ,  金澈 ,  申相浩

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种半导体存储器件包括单元阵列和耦合到单元阵列的刷新控制器。刷新控制器被配置为基于关于单元阵列的地址信息在第一刷新地址序列中插入至少一个插入刷新地址以产生第二刷新地址序列，并将第二刷新地址序列应用到单元阵列，使得被选择的单元可以更频繁地被刷新而不增加整体的刷新率。

公开(公告)号：CN109727625B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201811257984.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金澈 ,  权奇元 ,  闵智绥 ,  成洛珠 ,  安成基

IPC: G11C15/04

Abstract: 一种存储设备，包括存储电路、第一驱动电路和第二驱动电路。该存储电路存储第一数据并比较第一数据和第二数据。根据通过该存储电路的第一数据和第二数据的比较结果，第一驱动电路选择性地将匹配线驱动到第一逻辑状态。第二驱动电路将匹配线驱动到第二逻辑状态，而不管比较结果如何。

公开(公告)号：CN109727625A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811257984.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金澈 ,  权奇元 ,  闵智绥 ,  成洛珠 ,  安成基

IPC: G11C15/04

Abstract: 一种存储设备，包括存储电路、第一驱动电路和第二驱动电路。该存储电路存储第一数据并比较第一数据和第二数据。根据通过该存储电路的第一数据和第二数据的比较结果，第一驱动电路选择性地将匹配线驱动到第一逻辑状态。第二驱动电路将匹配线驱动到第二逻辑状态，而不管比较结果如何。

公开(公告)号：CN103295648A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310064093.X

申请日：2013-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙敎民 ,  宋镐永 ,  黄祥俊 ,  金澈 ,  孙东贤

IPC: G11C29/42 ,  G11C29/44

Abstract: 提供用于修复存储器系统中的存储器单元的方法和装置。测试设备根据测试命令通过测试存储器设备而检测故障地址，并且在故障地址存储器（FAM）中临时存储故障地址。根据故障地址传送模式，故障地址被传送到存储器设备，并且被临时存储在存储器设备的临时故障地址存储器中，然后被存储在作为非易失性存储设备的反熔丝阵列中。为了确保数据的可靠性，存储的数据被读取以便验证数据并且验证结果经由数据管脚被串行或并行地传送到测试设备。

公开(公告)号：CN103544988A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310293461.8

申请日：2013-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金中植 ,  金澈 ,  申相浩

IPC: G11C11/406

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C7/00 ,  G11C11/402 ,  G11C11/40603 ,  G11C11/40622 ,  G11C11/408 ,  G11C2211/406

Abstract: 一种半导体存储器件包括单元阵列和耦合到单元阵列的刷新控制器。刷新控制器被配置为基于关于单元阵列的地址信息在第一刷新地址序列中插入至少一个插入刷新地址以产生第二刷新地址序列，并将第二刷新地址序列应用到单元阵列，使得被选择的单元可以更频繁地被刷新而不增加整体的刷新率。