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公开(公告)号：CN102446553B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110293638.5
申请日：2011-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种快闪存储器的字线电压生成方法包括：使用正电压生成器生成编程电压；使用负电压生成器生成与多个负数据状态相对应的多个负编程验证电压；以及使用所述正电压生成器生成与至少一个或多个状态相对应的至少一个或多个编程验证电压。生成多个负编程验证电压包括：生成第一负验证电压；放电负电压生成器的输出，使其变得高于所述第一负验证电压；以及执行负电荷泵浦操作，直到负电压生成器的输出达到第二负验证电压电平。
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公开(公告)号：CN102592668B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210001056.X
申请日：2012-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/16
Abstract: 一种方法用于编程非易失性存储器设备的存储器块。该非易失性存储器设备操作上连接至存储器控制器，存储器块由位于串选择线与对应于该串选择线的公共源极线之间的多条字线定义。该方法包括：编程存储器块的第一子块；在第一子块的编程期间在非易失性存储设备中确定何时编程参考字线；当确定在编程第一子块期间编程参考字线时部分擦除存储器块的第二子块。
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公开(公告)号：CN101026009A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610064438.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰暎
CPC classification number: G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C16/0483 , G11C16/102 , G11C16/26 , G11C2216/14
Abstract: 公开了一种页面缓冲器及读方法，该方法包括适于使用页面缓冲器执行正常读操作或者复录读操作的单一操作。该单一操作包括：初始化锁存器以存储第一逻辑值；感测相应于被选存储单元的编程状态的电压电平；以及响应于所感测的电压电平而选择性地在所述锁存器中存储第二逻辑值，其中当所述第二逻辑值被存入到所述锁存器中时，所述页面缓冲器进入编程操作模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102385918B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110248483.3
申请日：2011-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/406 , G11C16/0483 , G11C16/10 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种操作非易失性存储器件的方法包括：将一个或多个字线(WL)地址但不是全部WL地址存储到锁存器中，所述WL布置在串选择线(SSL)与地选择线(GSL)之间；从锁存器中选择第一WL；对与串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，与所述SSL相关联的存储单元构成存储块；以及验证对与所选择的第一WL相关联的存储单元的擦除操作。
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公开(公告)号：CN102592668A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210001056.X
申请日：2012-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/16
Abstract: 一种方法用于编程非易失性存储器设备的存储器块。该非易失性存储器设备操作上连接至存储器控制器，存储器块由位于串选择线与对应于该串选择线的公共源极线之间的多条字线定义。该方法包括：编程存储器块的第一子块；在第一子块的编程期间在非易失性存储设备中确定何时编程参考字线；当确定在编程第一子块期间编程参考字线时部分擦除存储器块的第二子块。
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公开(公告)号：CN105186232A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510319648.X
申请日：2015-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0617 , G06F3/0653 , G06F3/0673 , G06F13/4068 , G06F13/4243 , H01R13/703
Abstract: 本发明公开了一种接口，包括：插座，配置为容纳存储装置；以及检测信号线，配置为传输对存储装置的类型加以识别的电信号。
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公开(公告)号：CN102446553A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110293638.5
申请日：2011-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/30 , G11C16/3436
Abstract: 一种快闪存储器的字线电压生成方法包括：使用正电压生成器生成编程电压；使用负电压生成器生成与多个负数据状态相对应的多个负编程验证电压；以及使用所述正电压生成器生成与至少一个或多个状态相对应的至少一个或多个编程验证电压。生成多个负编程验证电压包括：生成第一负验证电压；放电负电压生成器的输出，使其变得高于所述第一负验证电压；以及执行负电荷泵浦操作，直到负电压生成器的输出达到第二负验证电压电平。
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公开(公告)号：CN102385918A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110248483.3
申请日：2011-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/406 , G11C16/0483 , G11C16/10 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种操作非易失性存储器件的方法包括：将一个或多个字线(WL)地址但不是全部WL地址存储到锁存器中，所述WL布置在串选择线(SSL)与地选择线(GSL)之间；从锁存器中选择第一WL；对与串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，与所述SSL相关联的存储单元构成存储块；以及验证对与所选择的第一WL相关联的存储单元的擦除操作。
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