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公开(公告)号：CN1728278A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510077971.7
申请日：2005-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C11/417 , G11C7/00 , G11C8/00 , H01L27/105
Abstract: 在一个示范性实施例中，快速电路路径包括根据半导体装置的操作模式可控地操作于慢速、低亚阈值漏泄电流模式或快速、高亚阈值漏泄电流模式的反相器链。非快速电路路径包括操作于减小的亚阈值漏泄电流模式下而与半导体装置的操作模式无关的反相器链。
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公开(公告)号：CN101217058A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710087954.0
申请日：2007-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4078
Abstract: 提供了一种根据外部命令信号和刷新模式而改变存取共享存储区域的存取权限的半导体存储设备及其方法。所述半导体存储设备包括：多个输入/输出端口，用来输入第一或第二模式刷新操作的命令信号；存储阵列，其包括可以通过多个输入/输出端口中的至少两个端口存取的共享存储区域，所述存储阵列划分为多个不同的存储区域；以及授权控制块，用来响应于外部命令信号分配存取所述共享存储区域的存取权限，其中所述授权控制块产生授权控制信号，其用于将存取所述共享存储区域的存取权限优先地分配给用来输入第一模式刷新操作的命令信号的输入/输出端口。能够更高效率地执行所述共享存储区域的刷新操作或普通操作。
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公开(公告)号：CN1734942A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510075561.9
申请日：2005-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K3/012
Abstract: 一种电压电平移位电路，包括：第一级，其接收具有电压电平Vcc和Vss的输入信号，其中Vcc＞Vss，并输出互补第一和第二中间信号，其中，所述互补第一和第二中间信号具有电压电平VIhigh和VIlow，其中VIhigh＞VIlow；和第二级，其接收所述第一和第二中间信号，并输出互补第一和第二输出信号，其中所述互补第一和第二输出信号具有电压电平VOhigh和VOlow，其中VOhigh＞VOlow，其中VIhigh＞VOhigh或VOlow＜VOlow，和其中VOhigh＞Vcc和VOlow＜Vss。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1988033B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610166966.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/12 , G11C7/1075 , G11C29/1201 , G11C29/26 , G11C29/48 , G11C2029/1802
Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。
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公开(公告)号：CN1734942B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200510075561.9
申请日：2005-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K3/012
Abstract: 一种电压电平移位电路，包括：第一级，其接收具有电压电平VCC和VSS的输入信号，其中VCC＞VSS，并输出互补第一和第二中间信号，其中，所述互补第一和第二中间信号具有电压电平VIhigh和VIlow，其中VIhigh＞VIlow；和第二级，其接收所述第一和第二中间信号，并输出互补第一和第二输出信号，其中所述互补第一和第二输出信号具有电压电平VOhigh和VOlow，其中VOhigh＞VOlow，其中VIhigh＞VOhigh或VOlow＜VOlow，和其中VOhigh＞VCC和VOlow＜VSS。
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公开(公告)号：CN1728278B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200510077971.7
申请日：2005-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C11/417 , G11C7/00 , G11C8/00 , H01L27/105
Abstract: 在一个示范性实施例中，快速电路路径包括根据半导体装置的操作模式可控地操作于慢速、低亚阈值漏泄电流模式或快速、高亚阈值漏泄电流模式的反相器链。非快速电路路径包括操作于减小的亚阈值漏泄电流模式下而与半导体装置的操作模式无关的反相器链。
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公开(公告)号：CN101025996A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710006781.5
申请日：2007-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G11C8/12 , G11C7/1075 , G11C8/16 , G11C29/1201 , G11C29/48
Abstract: 提出了一种多端口半导体存储器件及其信号输入/输出方法。在一个实施例中，多端口半导体存储器件包括多个不同输入/输出端口和存储阵列。所述存储阵列具有可以通过使用不同输入/输出端口进行存取的至少一个存储区域。所述不同输入/输出端口包括：第一输入/输出端口，通过所述第一输入/输出端口输入/输出第一信号；以及第二输入/输出端口，通过所述第二输入/输出端口输入/输出与第一信号不同的第二信号。将存储区域分成多个存储区域。本发明提供了减少测试管脚的数目以及改善测试效率的效果。
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公开(公告)号：CN1988033A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610166966.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/12 , G11C7/1075 , G11C29/1201 , G11C29/26 , G11C29/48 , G11C2029/1802
Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。
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