公开(公告)号：CN1728278A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510077971.7

申请日：2005-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔硕奎 ,  金南钟 ,  裵壹万 ,  崔钟贤

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/417 ,  G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  H01L27/105

Abstract: 在一个示范性实施例中，快速电路路径包括根据半导体装置的操作模式可控地操作于慢速、低亚阈值漏泄电流模式或快速、高亚阈值漏泄电流模式的反相器链。非快速电路路径包括操作于减小的亚阈值漏泄电流模式下而与半导体装置的操作模式无关的反相器链。

公开(公告)号：CN1728278B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200510077971.7

申请日：2005-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔硕奎 ,  金南钟 ,  裵壹万 ,  崔钟贤

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/417 ,  G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  H01L27/105

Abstract: 在一个示范性实施例中，快速电路路径包括根据半导体装置的操作模式可控地操作于慢速、低亚阈值漏泄电流模式或快速、高亚阈值漏泄电流模式的反相器链。非快速电路路径包括操作于减小的亚阈值漏泄电流模式下而与半导体装置的操作模式无关的反相器链。