公开(公告)号：CN115701863A

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202210566242.1

申请日：2022-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  金东澔 ,  金尚昱 ,  金正民 ,  梁承薰 ,  李智庸 ,  林昌默 ,  许洋宇

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06F30/27 ,  G06N20/00 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了一种电子设备的操作方法，该操作方法包括：接收用于制造半导体器件的设计布局；通过执行基于机器学习的工艺邻近校正(PPC)来生成第一布局；通过执行光学邻近校正(OPC)来生成第二布局；以及输出第二布局以用于半导体工艺。生成第一布局包括：通过对设计布局执行基于机器学习的工艺邻近校正模块来生成第一清洁后检查(ACI)布局；通过基于第一清洁后检查布局与设计布局之间的差异调整设计布局并且对调整后的布局执行工艺邻近校正模块来生成第二清洁后检查布局；以及当第二清洁后检查布局与设计布局之间的差异小于或等于阈值时，输出调整后的布局作为第一布局。

公开(公告)号：CN116203789A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211512515.0

申请日：2022-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基盛 ,  禹东坤 ,  李熙俊 ,  金东澔

IPC: G03F1/36

Abstract: 提供了一种全芯片单元临界尺寸(CD)校正方法以及通过使用该方法制造掩模的方法。全芯片单元CD校正方法包括：接收关于全曝光的数据库(DB)；分析DB的层次；通过使用DB生成全芯片的密度图，并将该密度图转换为重定向规则表，该转换包括通过使用密度规则映射密度图；将全芯片的单元块重新配置为用于光学邻近校正(OPC)的OPC目标单元布局；基于重定向规则表将第一偏置应用于OPC目标单元布局；以及通过执行分层OPC生成用于全芯片的经光学邻近校正的(经OPC的)布局。