半导体器件
    4.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118969779A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410557192.X

    申请日:2024-05-07

    Abstract: 一种半导体器件包括:半导体衬底;通路结构,所述通路结构穿过所述半导体衬底;第一二极管,所述第一二极管包括掺杂有第一导电型杂质的第一杂质区和掺杂有第二导电型杂质的第二杂质区;以及第二二极管,所述第二二极管包括掺杂有所述第一导电型杂质的第三杂质区和掺杂有所述第二导电型杂质的第四杂质区,其中,所述第二导电型杂质不同于所述第一导电型杂质,并且其中,所述第一杂质区、所述第二杂质区、所述第三杂质区和所述第四杂质区中的至少一者与所述通路结构的排除区交叠。

    用于射频部件的连接结构和包括该连接结构的电子设备

    公开(公告)号:CN111883909A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010362380.9

    申请日:2020-04-30

    Abstract: 本公开涉及将被提供用于支持比诸如长期演进(LTE)的超第四代(4G)通信系统更高数据速率的前第五代(5G)或5G通信系统。本公开涉及用于射频部件的连接结构和包括该连接结构的电子设备。根据各种实施例,用于射频(RF)部件的连接组件可以包括:第一RF部件,其包括开口部分和形成在开口部分中的突起;弹性结构;印刷电路板(PCB);以及第二RF部件,其连接到PCB。弹性结构可以设置在PCB的第一表面上,包括开口部分的第一RF部件的第一表面可以耦接到PCB的第一表面,并且第一RF部件的突起可以与弹性结构接触,从而在第一RF部件和第二RF部件之间形成电连接。

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