公开(公告)号：CN118969779A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410557192.X

申请日：2024-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在俊 ,  吴世一 ,  吉汎涌 ,  金东柱 ,  俞昌植 ,  林受衍 ,  韩相根

IPC: H01L23/60 ,  H01L25/18 ,  H01L23/535 ,  H01L23/488 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底；通路结构，所述通路结构穿过所述半导体衬底；第一二极管，所述第一二极管包括掺杂有第一导电型杂质的第一杂质区和掺杂有第二导电型杂质的第二杂质区；以及第二二极管，所述第二二极管包括掺杂有所述第一导电型杂质的第三杂质区和掺杂有所述第二导电型杂质的第四杂质区，其中，所述第二导电型杂质不同于所述第一导电型杂质，并且其中，所述第一杂质区、所述第二杂质区、所述第三杂质区和所述第四杂质区中的至少一者与所述通路结构的排除区交叠。