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发明公开
用于浸渍光刻系统的清洁溶液和使用其的浸渍光刻方法无效

公开(公告)号：CN101676803A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810165661.4

申请日：2008-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世娟 , 高容均 , 李相美 , 李阳求 , 李宪定 , 李根泽

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70925 , G03F7/70341

Abstract: 本发明涉及用于浸渍光刻系统的清洁溶液和使用其的浸渍光刻方法。根据示例性实施方式的用于浸渍光刻系统的清洁溶液可包含基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂。在浸渍光刻系统中，多个涂覆有光刻胶膜的晶片可根据使用浸渍流体的浸渍光刻方法曝光。在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可聚集污染物。因此，在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可用根据示例性实施方式的清洁溶液清洗，以减少或防止在浸渍光刻系统中的缺陷。

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