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公开(公告)号：CN1037722C
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：CN94103086.5
申请日：1994-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/00 , G11C11/419
CPC classification number: H01L27/115 , G11C17/123 , H01L27/112
Abstract: 公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN1033344C
公开(公告)日：1996-11-20
申请号：CN94102724.4
申请日：1994-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C14/00
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C17/123
Abstract: 一种存储单元具有“与非”逻辑结构的非易失性半导体集成电路。一种非易失性半导体集成电路，其存储单元阵列由多个各个具有第1至第N个“与非”结构的存信单元晶体管组成，该存储器有多个与第一存储单元晶体管串联连接的第一串选择晶体管的多个与第N个存储单元晶体管串联连接的第二串选择晶体管相连接。其中一个与第1和第N个存储单元串联连接的串选择晶体管，其控制端子接一个接地点，从而具有地选择功能和串选择功能。
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公开(公告)号：CN1072528A
公开(公告)日：1993-05-26
申请号：CN92113235.2
申请日：1992-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/18
Abstract: 一个带有地址转换探测电路的半导体存贮器，包括一个输入信号探测器100B。用以接收在输入缓冲器中被缓冲的外部输入信号，一个控制装置100C用以响应输入信号探测器的输出信号产生一个信号ΦPzd，控制一个读出放大器，一个补偿信号发生器100D，用以产生一个补偿信号SACS以通过接收输入信号探测器和控制装置的输出信号补偿一对二进制位线和/或数据输入输出线路。因此，二进制位线和/或数据输入/输出线路在读出放大器不工作期间总是被补偿的。
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公开(公告)号：CN1229669C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02125133.9
申请日：2002-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F2001/133337 , G02F2001/133388 , G02F2001/133397 , G09G3/3648 , G09G2330/08 , G09G2330/10
Abstract: 液晶显示器中，在第一基底上提供多个栅线和数据线，第一基底包括作为屏幕的显示区域和显示区域外部的周边区域。在第一基底上也提供多个电气连接到栅线和数据线的像素电极。一些像素电极延伸到周边区域内。在与第一基底相对的第二基底上形成黑色基体，它遮蔽周边区域内像素电极的延伸部分。形成于第一和第二基底上的对准薄膜的摩擦方向朝着周边区域内像素电极的延伸部分。对准薄膜表面上的杂质离子沿着摩擦方向移动，停止在像素电极的延伸部分，于是由杂质离子引起的图像缺陷用黑色基体遮蔽了。
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公开(公告)号：CN1098221A
公开(公告)日：1995-02-01
申请号：CN94103086.5
申请日：1994-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/00 , G11C11/419
CPC classification number: H01L27/115 , G11C17/123 , H01L27/112
Abstract: 公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1033607C
公开(公告)日：1996-12-18
申请号：CN93109191.8
申请日：1993-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1008 , G06F11/1076
Abstract: 半导体存储器，包括：分成许多副单元组的存储单元组，各副单元组既有正常存储单元又有奇偶校验单元；许多读出放大器组，各接到副单元组中的各单元，用于对来自副单元组的单元数据执行读出操作；许多误差检验与校正电路，各接到各读出放大器组，以修正单元数据中的出错位；以及，各连接到误差检验与校正电路的输出译码器；当该存储器在正常方式下工作，就选择副单元组之一，当其按页式工作时，则选择全部副单元组。
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公开(公告)号：CN1101451A
公开(公告)日：1995-04-12
申请号：CN94102724.4
申请日：1994-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C14/00
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C17/123
Abstract: 一种存储单元具有“与非”逻辑结构的非易失性半导体集成电路。一种非易失性半导体集成电路，其存储单元阵列由多个各个具有第1至第N个“与非”结构的存储单元晶体管组成，该存储器有多个与第一存储单元晶体管串联连接的第一串选择晶体管的多个与第N个存储单元晶体管串联连接的第二串选择晶体管相连接。其中一个与第1和第N个存储单元串联连接的串选择晶体管，其控制端子接一个接地点，从而具有地选择功能和串选择功能。
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公开(公告)号：CN1070279A
公开(公告)日：1993-03-24
申请号：CN92109280.6
申请日：1992-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/08
CPC classification number: G11C17/123 , H01L27/112
Abstract: 一种在半导体存储器中的掩膜只读存储器有：一给定导电类型的扩散区在第一方向上延伸并以隔离区与另一扩散区隔开；一字线在和第一方向垂直的第二方向上延伸，且和另一字线平行；一位线沿第一方向在一区域里延伸，该区域在字线布线上方形成并对应于扩散区之间的隔离区，该位线通过给定的接触区和字线接触。因位线和扩散区隔开一给定间隔，故周转时间(TAT)可以大大降低。
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公开(公告)号：CN1397822A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02125133.9
申请日：2002-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F2001/133337 , G02F2001/133388 , G02F2001/133397 , G09G3/3648 , G09G2330/08 , G09G2330/10
Abstract: 液晶显示器中，在第一基底上提供多个栅线和数据线，第一基底包括作为屏幕的显示区域和显示区域外部的周边区域。在第一基底上也提供多个电气连接到栅线和数据线的像素电极。一些像素电极延伸到周边区域内。在与第一基底相对的第二基底上形成黑色基体，它遮蔽周边区域内像素电极的延伸部分。形成于第一和第二基底上的对准薄膜的摩擦方向朝着周边区域内像素电极的延伸部分。对准薄膜表面上的杂质离子沿着摩擦方向移动，停止在像素电极的延伸部分，于是由杂质离子引起的图像缺陷用黑色基体遮蔽了。
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公开(公告)号：CN1044420C
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：CN94104215.4
申请日：1994-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有地址转换检测器的半导体集成电路。该地址转换电路具有连接于电源端、用于检测电源端电压电平的电源检测电路，用于接收地址信号并在地址信号改变时产生窄脉冲的窄脉冲发生电路，以及用于组合电源检测电路和窄脉冲发生电路的输出变化时产生给定脉冲的求和器。
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