公开(公告)号：CN102110463A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010611944.4

申请日：2010-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴台荣 ,  裵升浚 ,  朴光一

IPC: G11C7/10

Abstract: 提供了一种存储器接口电路，包括：第一信号输出电路，其被配置为经第一信号线将第一信号输出到第一I/O端；第二信号输出电路，其被配置为经第二信号线将第二信号输出到第二I/O端；以及噪声消除电路，其具有至少一个相位调整元件和至少一个增益调整元件，以降低由于第一信号线上第一信号的存在而在第二信号线上感应的噪声信号，其中，所述第二信号线被放置在第一信号线附近。

公开(公告)号：CN117640306A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310916902.9

申请日：2023-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗大勋 ,  李善奎 ,  裵升浚 ,  李泰成

IPC: H04L25/03

Abstract: 一种均衡器包括：第一脉冲宽度控制器，被配置为通过增加具有第一逻辑电平的第一数据信号的第一脉冲宽度来生成第一信号，第一数据信号对应于当前数据位；第二脉冲宽度控制器，被配置为通过增加具有第二逻辑电平的第一数据信号的第二脉冲宽度来生成第二信号；第一采样器，被配置为通过对第一信号进行采样来生成第一采样信号；第二采样器，被配置为通过对第二信号进行采样来生成第二采样信号；以及复用器，被配置为基于先前数据位的值来输出第一采样信号或第二采样信号。

公开(公告)号：CN102270504B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201110141841.0

申请日：2011-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴台荣 ,  朴光一 ,  梁润硕 ,  孙宁洙 ,  金始弘 ,  裵升浚

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C29/702 ,  G11C7/10 ,  H01L22/22 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06541

Abstract: 根据本发明构思的一种堆叠半导体存储器件可以包括：多个存储器芯片，堆叠在处理器芯片之上；多个TSV；以及I/O缓冲器。TSV可以穿过存储器芯片并且连接到处理器芯片。I/O缓冲器可以耦接在全部或部分存储器芯片与TSV之间，并且可以基于TSV的缺陷状态选择性地激活。

公开(公告)号：CN102270504A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110141841.0

申请日：2011-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴台荣 ,  朴光一 ,  梁润硕 ,  孙宁洙 ,  金始弘 ,  裵升浚

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C29/702 ,  G11C7/10 ,  H01L22/22 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06541

Abstract: 根据本发明构思的一种堆叠半导体存储器件可以包括：多个存储器芯片，堆叠在处理器芯片之上；多个TSV；以及I/O缓冲器。TSV可以穿过存储器芯片并且连接到处理器芯片。I/O缓冲器可以耦接在全部或部分存储器芯片与TSV之间，并且可以基于TSV的缺陷状态选择性地激活。