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公开(公告)号：CN109671731B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201811182487.4
申请日：2018-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，其包括相反的第一表面和第二表面；在基板的第一表面上的第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极的每个在第一方向上延伸；第一隔离层，其在第一栅极与第二栅极之间位于基板中，并在交叉第一方向的第二方向上具有第一宽度；第二隔离层，其在基板中位于第一隔离层上，并在第二方向上具有小于第一宽度的第二宽度。第二隔离层比第一隔离层更靠近基板的第二表面。第一隔离层与第二隔离层之间的垂直距离是第一隔离层的高度的1/3或更小。
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公开(公告)号：CN114068592A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110777511.4
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；衬底上的多个滤色器；所述多个滤色器中的邻近的滤色器之间的栅栏图案；以及衬底与所述多个滤色器之间的保护层，其中，保护层覆盖栅栏图案。栅栏图案包括：第一栅栏图案，其具有彼此相对的第一底表面和第一顶表面；以及第一栅栏图案的第一顶表面上的第二栅栏图案。第一栅栏图案在第一底表面处的宽度小于第二栅栏图案的宽度，并且保护层覆盖第一栅栏图案的侧壁。
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公开(公告)号：CN108695346A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810073539.8
申请日：2018-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14667 , H01L27/14689 , H01L27/14694 , H01L27/14605 , H01L27/14645
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，其包括布置成二维阵列结构的多个像素并具有正面和与正面相反的背面；布置在基板的正面上的互连；布置在基板的背面上的绝缘层、滤色器和微透镜；设置在基板中的像素分离结构，像素分离结构包括在图像传感器的俯视图中具有网格结构的导电层并且围绕所述多个像素的每个；以及背面接触，其与像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分垂直地重叠并电连接到像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分。
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公开(公告)号：CN115799280A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211079156.4
申请日：2022-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其包括第一区和包围第一区的第二区；衬底中的感光元件；感光元件上的平坦化层；包括滤色器的滤色器阵列层，其在衬底的第一区上的平坦化层上；光阻挡金属图案，其在衬底的第二区上的平坦化层上；伪滤色器层，其在第二区的邻近于衬底的第一区的一部分的光阻挡金属图案上；以及滤色器阵列层上的微透镜。有源像素在第一区中，光学黑(OB)像素在第二区中。
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公开(公告)号：CN115692439A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210842775.8
申请日：2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括双垂直栅极。双垂直栅极包括在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向垂直的第二方向上垂直地延伸到衬底中的两个垂直延伸部分，以及将两个垂直延伸部分彼此连接的连接部分。元件隔离层在第一方向上与垂直延伸部分的侧表面相邻设置。两个垂直延伸部分由在第二方向上延伸的分离区域分开，并且分离区域的顶表面低于元件隔离层的顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105529342B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201510673228.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器。所述像素可以包括：光电二极管，被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷；存储二极管，被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷；以及存储栅极，被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管。存储栅极可以包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
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公开(公告)号：CN109671731A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811182487.4
申请日：2018-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，其包括相反的第一表面和第二表面；在基板的第一表面上的第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极的每个在第一方向上延伸；第一隔离层，其在第一栅极与第二栅极之间位于基板中，并在交叉第一方向的第二方向上具有第一宽度；第二隔离层，其在基板中位于第一隔离层上，并在第二方向上具有小于第一宽度的第二宽度。第二隔离层比第一隔离层更靠近基板的第二表面。第一隔离层与第二隔离层之间的垂直距离是第一隔离层的高度的1/3或更小。
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公开(公告)号：CN109087923A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810600349.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14607 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H04N5/374 , H01L27/14603 , H01L27/14605
Abstract: 本公开提供了半导体器件和图像传感器。一种半导体器件包括在半导体基板上的第一图案、第二图案和第二采样图案。第二图案与第二采样图案以相等的间隔水平地间隔开。第二采样图案包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁、在第一侧壁上的第一点和在第二侧壁上的第二点。第二采样图案和与第二采样图案相关的最相邻第一图案在与连接第一点和第二点的直线平行的方向上以第一水平距离彼此间隔开。第一水平距离大于第二图案中的一个第二图案和与所述一个第二图案相关的最相邻第一图案之间在所述方向上的第二水平距离。
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公开(公告)号：CN118538742A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311593567.X
申请日：2023-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有在竖直方向上彼此间隔开的第一表面和第二表面；第一颜色单位像素，包括以2×2矩阵布置的第一子像素至第四子像素；第二颜色单位像素，包括以2×2矩阵布置的四个子像素；第一像素隔离沟槽，使第一颜色单位像素和第二颜色单位像素分离；第二像素隔离沟槽，使第一颜色单位像素的第一子像素和第二子像素分离；第三像素隔离沟槽，位于第一颜色单位像素的第一子像素至第四子像素的交叉点上。第一颜色单位像素检测第一颜色光。第二颜色单位像素检测第二颜色光。所述图像传感器被构造为在第二表面上接收第一颜色光。第二像素隔离沟槽从第一表面向第二表面延伸。第三像素隔离沟槽从第二表面向第一表面延伸。
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公开(公告)号：CN118057615A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202311546744.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：基底，包括第一表面和第二表面，并且包括其中的多个光电转换元件。多个像素，可设置在基底中；多个像素分隔结构，可被配置为分隔所述多个像素；以及多个接触件，可分别连接到所述多个像素分隔结构。所述多个接触件之中的第一接触件可被配置为将电流施加到多个像素分隔结构中的第一部分，并且所述多个接触件之中的第二接触件被配置为检测来自所述多个像素分隔结构的第二部分的电流。
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