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公开(公告)号:CN102902071A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201210269230.9
申请日:2012-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B27/22 , H04N13/04 , G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02B27/2214 , H04N13/305 , H04N13/317 , H04N13/324
Abstract: 本发明提供了一种自动立体3D显示设备,其包括:包括具有四种基本颜色的基本像素的阵列的显示面板、以及位于显示面板上方的柱状镜装置。柱状镜装置包括平行于一倾斜线延伸的多个柱状镜部件的阵列,倾斜线相对于像素的列倾斜tan-1(a/mb)的角度,其中,m表示在相同视点在同一倾斜线上出现之前相邻行的数量,且a和b表示每个像素的水平和竖直长度。当n为0或自然数时,视点的数量为2m(2n+1),对应于给定视点的像素在每个柱状镜部件中每m行地重复,在每个柱状镜部件内平行于倾斜线延伸通过像素的平行线的数量等于视点的数量,且每一个平行线均取决于重复的基本像素。
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公开(公告)号:CN1873530B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200610088744.9
申请日:2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/32 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括:掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括:第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外,第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光,第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分,用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光,第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明,通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高,使得显示装置的闪烁和/或余像减少,由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
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公开(公告)号:CN1873530A
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN200610088744.9
申请日:2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/14 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括:掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括:第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外,第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光,第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分,用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光,第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明,通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高,使得显示装置的闪烁和/或余像减少,由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
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公开(公告)号:CN102902071B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201210269230.9
申请日:2012-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B27/22 , H04N13/04 , G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02B27/2214 , H04N13/305 , H04N13/317 , H04N13/324
Abstract: 本发明提供了一种自动立体3D显示设备,其包括:包括具有四种基本颜色的基本像素的阵列的显示面板、以及位于显示面板上方的柱状镜装置。柱状镜装置包括平行于一倾斜线延伸的多个柱状镜部件的阵列,倾斜线相对于像素的列倾斜tan‑1(a/mb)的角度,其中,m表示在相同视点在同一倾斜线上出现之前相邻行的数量,且a和b表示每个像素的水平和竖直长度。当n为0或自然数时,视点的数量为2m(2n+1),对应于给定视点的像素在每个柱状镜部件中每m行地重复,在每个柱状镜部件内平行于倾斜线延伸通过像素的平行线的数量等于视点的数量,且每一个平行线均取决于重复的基本像素。
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公开(公告)号:CN1992350A
公开(公告)日:2007-07-04
申请号:CN200610168227.2
申请日:2006-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 一种薄膜晶体管基板,包括底基板、栅电极、栅极绝缘层、表面处理层、有源层、源电极和漏电极。栅电极形成在底基板上。栅极绝缘层形成在底基板上,以覆盖栅电极。表面处理层通过用含氮气体处理栅极绝缘层而形成在栅极绝缘层上,以防止泄漏电流。有源层形成在表面处理层上,以覆盖栅电极。彼此隔开预定距离的源电极和漏电极形成在有源层上。
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