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公开(公告)号：CN118055693A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311417245.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电容器结构包括：下电极、下电极上的介电图案、介电图案上的界面结构、以及界面结构上的上电极。介电图案包括具有4个价电子的金属的氧化物。界面结构包括第一界面图案和第二界面图案，第一界面图案包括掺杂有氮的第一金属氧化物，第二界面图案包括第二金属氧化物。
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公开(公告)号：CN116156880A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211462716.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明的半导体器件可以包括：衬底；栅极结构，在衬底上；电容器接触结构，连接到衬底；下电极，连接到电容器接触结构；支撑部，支撑下电极的侧壁；界面层，覆盖下电极并包括卤素材料；电容器绝缘层，覆盖界面层和支撑部；以及上电极，覆盖电容器绝缘层。界面层可以包括接触下电极的第一表面和接触电容器绝缘层的第二表面。界面层的卤素材料更靠近第一表面而不是更靠近第二表面。
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公开(公告)号：CN119545789A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411142046.7
申请日：2024-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路器件及制造集成电路器件的方法。集成电路器件包括位于衬底上的晶体管和电连接到晶体管的电容器结构。电容器结构包括下电极、位于下电极上的下界面膜、位于下界面膜上的电容器电介质膜、位于电容器电介质膜上的上界面膜以及位于上界面膜上的上电极。下界面膜包括：第一下界面层，包括掺杂有杂质的金属氧化物；第二下界面层，包括与第一下界面层的材料基本相同的材料并掺杂有氮；和第三下界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮，上界面膜包括：第一上界面层，包括金属氧化物；第二上界面层，包括与第一上界面层的材料相同的材料并掺杂有氮；和第三上界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮。
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公开(公告)号：CN119451563A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410597507.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：位于衬底上的着陆焊盘；下电极，下电极在着陆焊盘上沿垂直方向延伸，下电极连接到着陆焊盘；位于下电极上的电容器电介质层；位于下电极与电容器电介质层之间的掺杂层，掺杂层与下电极和电容器电介质层中的每一者接触，掺杂层掺杂有第一材料、第二材料和第三材料，第一材料具有三个价电子，第二材料具有四个价电子，并且第三材料具有五个价电子；以及位于电容器电介质层上的上电极。
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公开(公告)号：CN119012905A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410371967.4
申请日：2024-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了电容器和包括其的半导体装置。所述电容器可以包括主下电极、在主下电极的表面上的界面结构、在界面结构上包括金属氧化物的主介电层和在主介电层上的上电极。界面结构可以包括第一界面层、第二界面层和第三界面层。第一界面层可以具有导电性，并且可以包括掺杂有五价元素的金属氧化物。第二界面层可以在第一界面层上，并且可以包括在第一界面层的材料中进一步掺杂有氮的材料。第三界面层可以在第二界面层上，并且可以包括掺杂有氮的金属氧化物。包括在第三界面层的金属氧化物中的金属可以包括四价金属。
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