公开(公告)号：CN119673735A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411078505.X

申请日：2024-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李志模 ,  金京善 ,  罗栋铉 ,  宋重泫 ,  申明修 ,  沈承辅 ,  尹贵玹 ,  李埈昊 ,  千雄振 ,  韩东锡

IPC: H01J37/248 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：等离子体室；射频(RF)电源，被配置为在等离子体室中产生等离子体；电磁体，被配置为向等离子体施加磁场；以及脉冲电流产生器，被配置为向电磁体提供脉冲电流，其中，脉冲电流的每个周期包括第一部分和第一部分之后的第二部分，并且脉冲电流产生器还被配置为：在第一部分处以第一方向向电磁体提供脉冲电流以产生磁场，并且在第二部分处以与第一方向相反的第二方向向电磁体提供脉冲电流以降低在第一部分处产生的磁场的强度。

公开(公告)号：CN117476425A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310559036.2

申请日：2023-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  金宰彬 ,  申明修 ,  韩东锡 ,  金京善 ,  金南均 ,  金宰成 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：晶片支撑固定件，在腔室中，并且被配置为支撑晶片；上电极，在腔室中，并且与晶片支撑固定件间隔开；磁体组件，被配置为将磁场施加到腔室中，磁体组件包括布置为环形形状的多个第一磁体和多个第二磁体，以及从腔室的中心轴到多个第一磁体中的每个第一磁体和到多个第二磁体中的每个第二磁体的水平距离小于晶片的半径。