公开(公告)号：CN109686825B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201811221447.6

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金柄均 ,  林珍永 ,  玄在星

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 一种发光装置，包括：发光结构，所述发光结构包括在基板上的第一导电类型氮化物半导体层、在第一导电类型氮化物半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电类型氮化物半导体层；以及在基板与发光结构之间的缓冲层。缓冲层包括多个孔隙。多个孔隙从缓冲层的表面竖直延伸到缓冲层中。缓冲层的表面靠近发光结构。所述多个孔隙具有不同的水平截面积。

公开(公告)号：CN108110100A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711192036.4

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东律 ,  朴正圭 ,  玄在星

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0058 ,  H01L33/10 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置和一种制造半导体发光装置的方法，所述装置包括：包括多个V形凹陷的第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层，其沿着所述多个V形凹陷的形状；有源层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的助反射层；以及助反射层上的反射层，其中，第二导电半导体层的厚度为45nm至100nm。

公开(公告)号：CN108110100B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN201711192036.4

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东律 ,  朴正圭 ,  玄在星

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置和一种制造半导体发光装置的方法，所述装置包括：包括多个V形凹陷的第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层，其沿着所述多个V形凹陷的形状；有源层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的助反射层；以及助反射层上的反射层，其中，第二导电半导体层的厚度为45nm至100nm。

公开(公告)号：CN107180895A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710048782.X

申请日：2017-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄在星 ,  李东律 ,  朴正圭

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0062 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/305 ,  H01L33/325

Abstract: 可以制造的发光器件包括：在衬底上的包括第一掺杂剂的n型半导体层、在n型半导体层上的有源层以及在有源层上的包括第二掺杂剂的p型半导体层。可以根据第一成层工艺和第二成层工艺中的至少一个来形成发光器件。第一成层工艺可以包括：根据离子注入工艺将第一掺杂剂注入n型半导体层，并且第二成层工艺可以包括根据离子注入工艺将第二掺杂剂注入p型半导体层中。形成包括离子注入的掺杂剂在内的半导体层可以包括在离子注入之后对半导体层进行热退火。p型半导体层可以包括浓度为约1×1017原子/cm3至约1×1018原子/cm3的镁‑氢(Mg‑H)复合物。

公开(公告)号：CN107180895B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201710048782.X

申请日：2017-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄在星 ,  李东律 ,  朴正圭

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

Abstract: 可以制造的发光器件包括：在衬底上的包括第一掺杂剂的n型半导体层、在n型半导体层上的有源层以及在有源层上的包括第二掺杂剂的p型半导体层。可以根据第一成层工艺和第二成层工艺中的至少一个来形成发光器件。第一成层工艺可以包括：根据离子注入工艺将第一掺杂剂注入n型半导体层，并且第二成层工艺可以包括根据离子注入工艺将第二掺杂剂注入p型半导体层中。形成包括离子注入的掺杂剂在内的半导体层可以包括在离子注入之后对半导体层进行热退火。p型半导体层可以包括浓度为约1×1017原子/cm3至约1×1018原子/cm3的镁‑氢(Mg‑H)复合物。

公开(公告)号：CN109686825A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811221447.6

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金柄均 ,  林珍永 ,  玄在星

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 一种发光装置，包括：发光结构，所述发光结构包括在基板上的第一导电类型氮化物半导体层、在第一导电类型氮化物半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电类型氮化物半导体层；以及在基板与发光结构之间的缓冲层。缓冲层包括多个孔隙。多个孔隙从缓冲层的表面竖直延伸到缓冲层中。缓冲层的表面靠近发光结构。所述多个孔隙具有不同的水平截面积。