公开(公告)号：CN117352493A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310811938.0

申请日：2023-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 ,  权炳昊 ,  朴钟爀 ,  尹普彦 ,  尹一永 ,  洪锡俊

IPC: H01L23/538 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种包括互连结构的半导体器件。该半导体器件包括：下结构；中间绝缘结构，该中间绝缘结构位于下结构上；中间互连结构，该中间互连结构穿透中间绝缘结构；上绝缘结构，该上绝缘结构位于中间绝缘结构和中间互连结构上；以及上导电图案，该上导电图案穿透上绝缘结构并且电连接到中间互连结构，其中，中间绝缘结构包括中间蚀刻停止层和在该中间蚀刻停止层上的中间绝缘层，该中间绝缘层包括第一中间材料层和第二中间材料层，该第二中间材料层的上表面与第一中间材料层的上表面共面，该中间互连结构穿透第一中间材料层和中间蚀刻停止层，并且第一中间材料层的材料的介电常数高于第二中间材料层的材料的介电常数。

公开(公告)号：CN116190345A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211500173.0

申请日：2022-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宇珹 ,  朴媛智 ,  安正勋 ,  吴在熙 ,  金知炯 ,  丁少锋 ,  洪锡俊 ,  黄帝官

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种插入结构和包括其的半导体封装，该插入结构包括：插入基板；在插入基板的上表面上的层间绝缘层；在层间绝缘层内的电容器结构；在垂直方向上穿透层间绝缘层的第一通路，第一通路连接到电容器结构；在层间绝缘层上的绝缘层；在垂直方向上穿透绝缘层的第二通路，第二通路连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个，贯穿通路的上表面与第二通路的上表面共面。