公开(公告)号：CN115172264A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210637213.X

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN106486461B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201610756035.7

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN106486461A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610756035.7

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。