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公开(公告)号：CN1227719C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN99109051.9
申请日：1999-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/823462
Abstract: 一种用于制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法。根据有源区尺寸控制氧化作用，从而使氧化物在较宽有源宽度(外围区)生长得薄，而在较窄有源宽度(单元阵列区)生长得厚。在具有不同有源区的半导体衬底上形成栅图形。形成栅间隔层，然后进行与有源尺寸相关的氧化工艺，从而生长不同的氧化物层。
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公开(公告)号：CN100541804C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610126604.6
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/56
CPC classification number: H01L28/91 , G11C11/4091
Abstract: 提供了耦合电容器及使用其的半导体存储器件。在实施例中，半导体存储器件的每个存储单元包括耦合电容器，使得存储电容器能够存储至少2位数据。耦合电容器具有相对与存储电容器的电容有预设比率的电容。为此，通过与存储电容器基本上相同的制造方法来形成耦合电容器。通过选择合适数目的单个电容器来获得预设比率，每个具有与存储电容器相同的电容，以包括耦合电容器。同样，耦合电容器设置在层间绝缘层上，该层间绝缘层掩埋单元区中的位线和感应放大区中的感应放大器。
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公开(公告)号：CN1131561C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN99107373.8
申请日：1999-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/823425 , H01L21/823864 , H01L27/092 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L29/6656
Abstract: 提供在金属氧化物半导体晶体管中的一种改进的源/漏结构形及其制造方法，其中其在外围区中形成栅双侧壁间隔层，同时在单元阵列区中形成栅单侧壁间隔层。形成的双侧壁间隔层有利地抑制短沟道效应，防止漏电流和减少薄层电阻。外围区中用于第二间隔层的绝缘层留在单元阵列区中，并在用于形成接触开口的层间绝缘层的腐蚀步骤期间用作腐蚀停止层，而且在硅化作用形成的步骤期间用作阻挡层，由此简化制造工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1241031A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN99109414.X
申请日：1999-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 梁元硕
IPC: H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/7681 , H01L27/10855 , H01L27/10894 , H01L28/91
Abstract: 一种制造半导体器件的方法。在绝缘层上形成材料层图形。在材料层图形上淀积另一个绝缘层。在另一个绝缘层上形成沟槽掩模图形。利用该掩模,在另一个绝缘层处进行腐蚀并中止在材料层,从而形成第一开口。利用材料层图形,腐蚀绝缘层的露出部分,形成与第一开口对准的第二开口,并由此形成用于金属线的双镶嵌开口。在第一和第二开口中淀积金属,形成双镶嵌金属线。
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公开(公告)号：CN1959990A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610126604.6
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/56
CPC classification number: H01L28/91 , G11C11/4091
Abstract: 提供了耦合电容器及使用其的半导体存储器件。在实施例中，半导体存储器件的每个存储单元包括耦合电容器，使得存储电容器能够存储至少2位数据。耦合电容器具有相对与存储电容器的电容有预设比率的电容。为此，通过与存储电容器基本上相同的制造方法来形成耦合电容器。通过选择合适数目的单个电容器来获得预设比率，每个具有与存储电容器相同的电容，以包括耦合电容器。同样，耦合电容器设置在层间绝缘层上，该层间绝缘层掩埋单元区中的位线和感应放大区中的感应放大器。
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公开(公告)号：CN1239819A
公开(公告)日：1999-12-29
申请号：CN99109051.9
申请日：1999-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/823462
Abstract: 一种用于制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法。根据有源区尺寸控制氧化作用，从而使氧化物在较宽有源宽度(外围区)生长得薄，而在较窄有源宽度(单元阵列区)生长得厚。在具有不同有源区的半导体衬底上形成栅图形。形成栅间隔层，然后进行与有源尺寸相关的氧化工艺，从而生长不同的氧化物层。
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公开(公告)号：CN1119834C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN99109414.X
申请日：1999-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 梁元硕
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7681 , H01L27/10855 , H01L27/10894 , H01L28/91
Abstract: 一种制造半导体器件的方法。在绝缘层上形成材料层图形。在材料层图形上淀积另一个绝缘层。在另一个绝缘层上形成沟槽掩模图形。利用该掩模，在另一个绝缘层处进行腐蚀并中止在材料层，从而形成第一开口。利用材料层图形，腐蚀绝缘层的露出部分，形成与第一开口对准的第二开口，并由此形成用于金属线的双镶嵌开口。在第一和第二开口中淀积金属，形成双镶嵌金属线。
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公开(公告)号：CN1236187A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN99107373.8
申请日：1999-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/823425 , H01L21/823864 , H01L27/092 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L29/6656
Abstract: 提供在金属氧化物半导体晶体管中的一种改进的源/漏结构形及其制造方法,其中其在外围区中形成栅双侧壁间隔层,同时在单元阵列区中形成栅单侧壁间隔层。形成的双侧壁间隔层有利地抑制短沟道效应,防止漏电流和减少薄层电阻。外围区中用于第二间隔层的绝缘层留在单元阵列区中,并在用于形成接触开口的层间绝缘层的腐蚀步骤期间用作腐蚀停止层,而且在硅化作用形成的步骤期间用作阻挡层,由此简化制造工艺。
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