公开(公告)号：CN118693083A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410191892.1

申请日：2024-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  姜在玄 ,  金善培 ,  林旺燮 ,  黄胜贤

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/538 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有主表面和在竖直方向上从主表面突出并在第一水平方向上纵向延伸的鳍型有源区域；栅极线，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此平行地延伸，并且与鳍型有源区域交叉；源极/漏极区域，在鳍型有源区域上位于栅极线之间；栅极间绝缘层，在栅极线之间且覆盖源极/漏极区域；有源接触件，在源极/漏极区域上并与源极/漏极区域接触；以及掩埋绝缘块，位于在第二水平方向上的相邻源极/漏极区域之间，掩埋绝缘块穿透栅极间绝缘层的至少一部分并具有与有源接触件中的第一有源接触件接触的顶表面。

公开(公告)号：CN115701663A

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202210839478.8

申请日：2022-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴炼皓 ,  林旺燮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。可以提供包括以下项的半导体器件：有源图案，在第一方向上延伸；栅极结构，在有源图案上，该栅极结构在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且包括栅极绝缘层和栅极填充层；在第二方向上延伸的栅极间隔物，在栅极结构的侧壁上；在栅极间隔物的侧壁上的栅极屏蔽绝缘图案，覆盖栅极绝缘层的上表面，并且包括绝缘材料；以及覆盖栅极填充层的上表面的栅极封盖图案，在栅极结构上。

公开(公告)号：CN115706048A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210920442.2

申请日：2022-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  崔圭峰 ,  朴鍊皓 ,  朴恩实 ,  李晋硕 ,  林旺燮 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上形成在其间具有不同的间隔的第一初始有源图案至第三初始有源图案；分别在第一初始有源图案与第二初始有源图案之间以及第二初始有源图案与第三初始有源图案之间形成第一场绝缘层和第二场绝缘层；以及分别在基于第一初始有源图案至第三初始有源图案形成的第一有源图案至第三有源图案上形成第一栅电极至第三栅电极，第一栅电极至第三栅电极通过第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构分离。

公开(公告)号：CN115863341A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211109284.9

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  朴恩实 ,  李晋硕 ,  林旺燮 ,  崔圭峯

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一片图案和第二片图案，在基底的第一区域上彼此间隔开；第一栅电极，在第一片图案与第二片图案之间延伸；第三片图案和第四片图案，在基底的第二区域上彼此间隔开；以及第二栅电极，在第三片图案与第四片图案之间延伸。第一栅电极包括在第一片图案与第二片图案之间的第一逸出功控制膜和在第一逸出功控制膜上的第一填充导电膜。第二栅电极包括在第三片图案与第四片图案之间的第二逸出功控制膜和在第二逸出功控制膜上的第二填充导电膜。第三片图案与第四片图案之间的距离大于第一片图案与第二片图案之间的距离。

公开(公告)号：CN115732504A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210740758.3

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  林旺燮 ,  崔圭峰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括包含第一有源区和第二有源区的衬底、位于第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案、以及与第一有源图案和第二有源图案交叉的栅电极。栅电极可以包括位于第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第一电极部分可以包括第一金属图案以及位于该第一金属图案上的第二金属图案。第二电极部分可以包括第三金属图案以及位于该第三金属图案上的第四金属图案。第一金属图案可以包括第一线路部以及从该第一线路部延伸的第一竖直部，而第三金属图案可以包括第二线路部以及从该第二线路部延伸的第二竖直部。第一竖直部和第二竖直部可以彼此接触。

公开(公告)号：CN115692418A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210494880.7

申请日：2022-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭峰 ,  朴錬皓 ,  朴俊模 ,  朴恩实 ,  李俊席 ,  李晋硕 ,  林旺燮

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件。半导体器件包括：第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案，位于衬底的逻辑单元区域上并且在第一方向上彼此间隔开；第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极跨过第一有源图案，并且第二栅电极跨过第二有源图案；第一分离图案，设置在第一有源图案与第二有源图案之间；第二分离图案，设置在第二有源图案与第三有源图案之间；第一栅极绝缘层，介于第一栅电极与第一有源图案之间；以及第一栅极切割图案，介于第一栅电极与第二栅电极之间，并且与第一分离图案的顶表面接触。第一分离图案比第二分离图案宽，并且第一栅极绝缘层在第一栅电极与第一分离图案之间延伸，并且与第一分离图案的侧表面和顶表面接触。