公开(公告)号：CN1983601A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610164636.5

申请日：2006-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋基焕 ,  李钟德 ,  朴炳国 ,  郑勋

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10802 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供一种动态随机存取存储器(DRAM)，其具有双栅极垂直沟道晶体管。该器件包括柱形有源图案，该柱形有源图案包括与半导体衬底接触的源区、形成在该源区上方的漏区、以及形成在该源区和漏区之间的沟道区。该有源图案设置在单元阵列区中。在该有源图案上，位线布置为沿一方向连接该漏区。在该有源图案之间，字线布置地与该位线交叉。栅极绝缘膜置于该字线和有源图案之间。

公开(公告)号：CN100583440C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200610164636.5

申请日：2006-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋基焕 ,  李钟德 ,  朴炳国 ,  郑勋

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10802 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供一种动态随机存取存储器(DRAM)，其具有双栅极垂直沟道晶体管。该器件包括柱形有源图案，该柱形有源图案包括与半导体衬底接触的源区、形成在该源区上方的漏区、以及形成在该源区和漏区之间的沟道区。该有源图案设置在单元阵列区中。在该有源图案上，位线布置为沿一方向连接该漏区。在该有源图案之间，字线布置地与该位线交叉。栅极绝缘膜置于该字线和有源图案之间。

公开(公告)号：CN1832202B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610004708.X

申请日：2006-01-27

Applicant: 财团法人SEOUL大学校产学协力财团 ,  三星电子株式会社

Inventor： 沈载星 ,  朴炳国 ,  李钟德 ,  金桢雨

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明涉及一种在有源区域具有多层掺杂层的电荷陷阱闪存单元和利用该闪存单元的存储阵列及其操作方法。本发明的电荷陷阱存储单元和已知技术相比所具备的特征是其有源区域内适当形成多层掺杂层。并且，和源区及漏区形成PN结的部分，将通过所述多层掺杂层诱导电子进行带间穿隧，并于预定的负偏置电压条件下，加速所述隧穿电子，从而产生雪崩现象。由此，本发明的存储阵列通过把所述雪崩现象中所生成的空穴注入到每个存储单元的多层介电层的方式进行程序化操作；而进行擦除操作时，则采取通过FN隧穿方式把通道中的电子注入到每个单元的多层介电层中的方式。

公开(公告)号：CN1832202A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610004708.X

申请日：2006-01-27

Applicant: 财团法人SEOUL大学校产学协力财团 ,  三星电子株式会社

Inventor： 沈载星 ,  朴炳国 ,  李钟德 ,  金桢雨

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明涉及一种在有源区域具有多层掺杂层的电荷陷阱闪存单元和利用该闪存单元的存储阵列及其操作方法。本发明的电荷陷阱存储单元和已知技术相比所具备的特征是其有源区域内适当形成多层掺杂层。并且，和源区及漏区形成PN结的部分，将通过所述多层掺杂层诱导电子进行带间穿隧，并于预定的负偏置电压条件下，加速所述隧穿电子，从而产生雪崩现象。由此，本发明的存储阵列通过把所述雪崩现象中所生成的正孔注入到每个存储单元的多层介电层的方式进行程序化操作；而进行擦除操作时，则采取通过FN隧穿方式把通道中的电子注入到每个单元的多层介电层中的方式。