公开(公告)号：CN119212393A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202410430965.8

申请日：2024-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金刚立 ,  李载德 ,  李世薰 ,  李泽徽 ,  张盛弼

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C5/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子系统，该半导体器件包括：第一基板；布线层，在第一基板上；第二基板，在布线层上并包括导电材料；第一水平导电层和第二水平导电层，依次堆叠在第二基板上并连接到第二基板；栅极堆叠结构，包括交替地堆叠在第二水平导电层上的层间绝缘层和栅电极；沟道结构，穿过栅极堆叠结构并连接到第二基板；第一电容器电极，在与第二基板相同的层上；第二电容器电极，与第一电容器电极重叠；以及第一电介质层，在第一电容器电极和第二电容器电极之间，其中，第二电容器电极在与布线层、第二基板、第一水平导电层和栅电极中的至少一个相同的层上。

公开(公告)号：CN117896988A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310700094.2

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昭贤 ,  张盛弼 ,  李世薰 ,  李载悳 ,  李泽徽

IPC: H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27

Abstract: 竖直非易失性存储器件可以包括：外围电路部分，包括存储单元驱动电路和连接布线；第一氢扩散阻挡层，位于外围电路部分上方；第一绝缘层，位于第一氢扩散阻挡层上方；公共源极线层，位于第一绝缘层上方；第二氢扩散阻挡层，位于第一绝缘层上方；以及存储单元堆叠结构，位于公共源极线层和第二氢扩散阻挡层上方。

公开(公告)号：CN117858511A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311279217.6

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昭贤 ,  李世薰 ,  李载悳 ,  李泽徽

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/27

Abstract: 提供了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括：基底、第一子半导体图案和第二子半导体图案以及第一单元结构和第二单元结构。基底包括第一区域和第二区域，第二区域在第一方向上具有与第一区域相同的长度，第一区域在与第一方向垂直的第二方向上具有第一宽度，并且第二区域在第二方向上具有比第一宽度小的第二宽度。第一子半导体图案覆盖第一区域，并且第一子半导体图案的一部分具有第一厚度。第二子半导体图案覆盖第二区域，并且具有比第一厚度小的第二厚度。第一共源极接触件和第二共源极接触件分别设置在第一图案和第二图案的在第二方向上的边缘上。

公开(公告)号：CN115643760A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210827355.2

申请日：2022-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泽徽 ,  李载德 ,  李豪峻 ,  张盛弼

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/20 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：存储器单元区域、包括外围电路区域的第一类型的半导体衬底以及多个传输晶体管，其中，外围电路区包括第一区域和第二区域，第一区域是第二类型，并且包括第一掺杂区域、以及位于第一掺杂区域之下并且被配置为具有比第一掺杂区域高的掺杂浓度的第一阱区域，第二区域是第一类型，并且包括第二掺杂区域、以及位于第二掺杂区域之下并且被配置为具有比第二掺杂区域高的掺杂浓度的第二阱区域，多个传输晶体管之中的位于第一区域上的第一传输晶体管连接到串选择线或接地选择晶体管，多个传输晶体管之中的位于第二区域上的第二传输晶体管连接到字线，其中，正电压或负电压在第二传输晶体管的操作期间被施加到第二阱区域。